半导体装置

摘要

以往在具有将焊接线连结承座之电极焊垫之半导体晶片之情形，由于无法控制银焊膏之扩散，而难于确保焊着领域，形成无法安定生产之问题。若为实现安定生产，将使封装体外形为不必要之过大问题。本发明系在承座设置突出部，并在偏离突出部方向之位置配置晶片，以确保焊接线之焊着领域。将连结于承座之电极焊垫配置于比同一晶片边之其他电极焊垫靠往晶片部位，并使焊接线横跨过晶片从焊垫延伸至突出部或其附近。由此实现封装体之小型化及安定之生产。本案代表图：第1图52、53、54、55、56、57导线板50 承座51 化合物半导体晶片80 焊接线(bonding wire)85 银焊膏100 突出部

主权项

1.一种半导体装置,系具备:半导体晶片;用以固定该晶片之承座;对应于上述晶片之电极焊垫配置之复数个导线板;用以焊接上述电极焊垫及上述导线板之连结机构,以及,用以封装上述晶片、承座以及导线板树脂层,且于上述承座至少设置一个延伸于上述两条导线板间之突出部,连接于上述任一电极焊垫之上述连结机构固定于上述突出部或上述突出部附近者。2.一种半导体装置,具备:设在半导体基板上之4个FET、两个闸极端子用电极焊垫、两个源极端子用电极焊垫、两个汲极端子用电极焊垫,构成半导体混频器积体电路之半导体晶片;用以固定该晶片之承座;对应于上述晶片之电极焊垫而配置之复数个导线板;用以连接上述电极焊垫及上述导线板之连结机构,以及用以封装上述晶片及承座以及导线板之树脂层;且系于上述承座至少设置一个延伸于上述两条导线板间之突出部,与任一上述电极焊垫连接之上述连结机构固定于上述突出部或上述突出部附近者。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述任一电极焊垫为上述源极端子用电极焊垫之一者。4.一种半导体装置,具备:在半导体基板设置上至少具有两个FET、一个输入端子用电极焊垫、至少一个控制端子用电极焊垫、两个输出端子用电极焊垫及一个接地端子用电极焊垫或电容端子用电极焊垫,以构成切换电路之半导体晶片;用以固定该晶片之承座;对应于上述晶片之电极焊垫而配置之复数个导线板;用以连接上述电极焊垫及上述导线板之连结机构,以及,用以封装上述晶片及承座以及导线板之树脂层,而在上述承座至少设置一个延伸于上述两条导线板间之突出部,以将连接于上述接地端子用电极焊垫或电容端子用电极焊垫之上述连结机构固定于上述突出部或上述突出部附近者。5.如申请专利范围第1或第2或第4项之半导体装置,其中,系将上述晶片固定于上述承座上之偏离上述突出部方向位置者。6.如申请专利范围第1或第2或第4项之半导体装置,其中,系将固定于上述突出部或上述突出部附近之上述连结机构延伸于上述晶片上面者。7.如申请专利范围第1或第2或第4项之半导体装置,其中,与上述突出部或与上述突出部附近连接之上述电极焊垫,系较沿上述晶片边配置之其他电极焊垫配置于靠近上述晶片中央部者。8.如申请专利范围第1或第2或第4项之半导体装置,其中,系将连接上述突出部或上述突出部附近与上述电极焊垫之连结机构以M字状之环状固定者。9.如申请专利范围第1或第2或第4项之半导体装置,其中,系将上述晶片以导电性胶合剂或非导电性胶合剂固定于上述承座者。10.如申请专利范围第1或第4项之半导体装置,其中,系将挟住上述突出部而配置之上述导线板因上述突出部而于高频形成分离者。图式简单说明:第1图:用以说明本发明之平面图。第2图:用以说明本发明之(A)平面图、(B)剖视图、(C)剖视图。第3图(A)及(B):用以说明本发明之平面图。第4图:用以说明本发明之(A)电路图、(B)平面图。第5图:用以说明本发明之(A)平面图、(B)剖视图。第6图:用以说明习用技术之电路图。第7图:用以说明习用技术之平面图。第8图:用以说明习用技术之(A)平面图、(B)平面图、(C)剖视图。第9图:用以说明先前技术之(A)电路图、(B)平面图。第10图:用以说明先前技术之平面图。