| 主权项 |
1.一种反射型液晶显示装置之制造方法,其特征为包含:(a)于绝缘性基板上沈积低阻抗之金属层,使用第1光罩,形成源极/汲极配线之制程;(b)于含有该源极/汲极配线之该绝缘性基板上,依序层叠矽层、闸极绝缘膜及闸极电极层,使用第2光罩,形成薄膜电晶体区域及闸极配线之制程;(c)于含有该源极/汲极配线、该薄膜电晶体区域及闸极配线之该绝缘性基板上,沈积保护层,使用第3光罩,于该源极配线上之既定位置,形成贯穿该保护膜之电晶体用开口区之制程;(d)于该保护膜上沈积层间绝缘膜,使用第4光罩,于该层间绝缘膜之表面形成凹凸面之同时,对应于该保护膜之电晶体用开口区的位置上,形成贯穿该层间绝缘膜的电晶体用开口区之制程;及(e)沿着该层间绝缘膜之凹凸面,沈积反射性之金属,使用第5光罩,形成贯穿该保护膜及该层间绝缘膜各自之电晶体用开口区而与该源极配线成电性连结之反射电极之制程。2.一种反射型液晶显示装置之制造方法,其特征包含:(a)于绝缘性基板上沈积低阻抗之金属层,使用第1光罩,形成源极/汲极配线之制程;(b)于含有该源极/汲极配线之该绝缘性基板上,依序层叠矽层、闸极绝缘膜及闸极电极层,使用第2光罩,形成薄膜电晶体区域及闸极配线之制程;(c)于含有该源极/汲极配线、该薄膜电晶体区域及该闸极配线之该绝缘性基板上,依序沈积保护层及层间绝缘膜,使用第3光罩,于该层间绝缘膜之表面形成凹凸面之同时,于该源极配线上之既定的位置,形成贯穿该层间绝缘膜的电晶体用开口区之制程;(d)将该层间绝缘膜作为光罩使用,于对应于该层间绝缘膜之电晶体用开口区的位置,形成贯穿该保护膜的电晶体用开口区之制程;及(e)沿着该层间绝缘膜之凹凸面,沈积反射性之金属,使用第4光罩,形成贯穿该保护膜及该层间绝缘膜各自之电晶体用开口区而与该源极配线成电性连结之反射电极之制程。3.如申请专利范围第1项之反射型液晶显示装置之制造方法,其中,利用半色调曝光法或二次曝光法,形成该层间绝缘膜之凹凸面及电晶体用之开口区。4.如申请专利范围第3项之反射型液晶显示装置之制造方法,其中,使用可控制光透过量之曝光光罩,形成该层间绝缘膜之凹凸面及电晶体用之开口区。5.如申请专利范围第1项之反射型液晶显示装置之制造方法,其中,于形成该源极/汲极配线之际,形成电容电极;于形成该薄膜电晶体区域及该闸极配线之际,于含有该电容电极之该绝缘性基板上,形成该闸极配线;于形成该层间绝缘膜及该保护膜各自之电晶体用之开口区之际,于该电容电极上之既定的位置,形成贯穿该层间绝缘膜及该保护膜的存储电容区用之开口区;及于形成该反射电极之际,形成贯穿该保护膜及该层间绝缘膜各自的存储电容区用之开口区而与该电容电极成电性连结的该反射电极。6.如申请专利范围第1项之反射型液晶显示装置之制造方法,其中,于形成该源极/汲极配线之际,形成保护电路用之源极/汲极配线;于形成该薄膜电晶体区域及该闸极配线之际,形成保护电极及保护配线;于形成该保护膜及该层间绝缘膜之际,于含有该保护电路用之源极/汲极配线、该保护电极及该保护配线之该绝缘性基板上,形成该保护膜及该层间绝缘膜;于形成该层间绝缘膜及该保护膜各自之电晶体用之开口区之际,于该保护电路用之该汲极配线、该保护电路用之该源极/汲极配线、该保护电极及该保护配线上之既定的位置,形成贯穿该保护膜及该层间绝缘膜的保护电路用之开口区;及于形成该反射电极之际,形成利用该反射性之金属,同时贯穿既定之该保护电路用之开口区而与该保护电路用之源极/汲极配线与该保护配线成电性连结的第1短路配线,同时形成贯穿既定之该保护电路用之开口区而与该汲极配线成电性连结的第2短路配线。7.如申请专利范围第1项之反射型液晶显示装置之制造方法,其中,于形成该层间绝缘膜之凹凸面之后而于沈积该反射性金属之前,包含至少将该层间绝缘膜之凹凸面予以热处理之制程。8.如申请专利范围第1项之反射型液晶显示装置之制造方法,其中,于形成该源极/汲极配线之后而于依序层叠矽层、闸极绝缘膜及闸极电极层之前,包含至少将该源极/汲极配线予以PH3处理之制程。9.一种反射型液晶显示装置,其特征为具备:源极/汲极配线,形成于绝缘性基板上之既定位置;薄膜电晶体区域及闸极配线,于含有该源极/汲极配线之该绝缘性基板上之既定位置,形成从基板之法线方向看去以矽层、闸极绝缘膜及闸极电极金属层之顺序约略重叠而叠积的层积体;保护膜,形成于含有该源极/汲极配线、该薄膜电晶体区域及该闸极配线之该绝缘性基板上,且具有贯穿该源极配线上之既定位置而形成的电晶体用开口区;层间绝缘膜,形成于该保护膜上,于表面形成凹凸面,且具有与该凹凸面之形成之同时贯穿对应于该保护膜之电晶体用开口区的位置而形成的电晶体用开口区;及反射电极,形成于该层间绝缘膜上,且沿着该层间绝缘膜之表面具有凹凸,贯穿该保护膜及该层间绝缘膜各自之电晶体用开口区而与该源极配线成电性连结。10.如申请专利范围第9项之反射型液晶显示装置,其中,具有与该源极/汲极配线形成之同时,形成于绝缘性基板上之既定位置的电容电极;具有与该薄膜电晶体区域形成之同时,于含有该电容电极之该绝缘性基板上之既定位置,形成从基板之法线方向看去以矽层、闸极绝缘膜及闸极电极金属层之顺序约略重叠而层叠的层积体所形成的存储电容区;该保护膜系形成于含有该存储电容区之该绝缘性基板上被,且具有与该保护膜之电晶体用开口区形成之同时,贯穿该电容电极上之既定位置而形成的存储电容区用开口区;该层间绝缘膜具有与该凹凸面形成之同时,贯穿对应于该保护膜之存储电容区用开口区的位置而形成的存储电容区用开口区;及该反射电极贯穿该保护膜及该层间绝缘膜各自之存储电容区用之开口区而与该电容电极成电性连结。11.如申请专利范围第9项之反射型液晶显示装置,其中,具有与该源极/汲极配线形成之同时,形成于该绝缘性基板上之既定位置的保护电路用之源极/汲极配线;具有与该薄膜电晶体区域形成之同时,于含有该保护电路用之源极/汲极配线之该绝缘性基板上之既定位置,形成从基板之法线方向看去以矽层、闸极绝缘膜及闸极电极金属层之顺序约略重叠而层叠的层积体所形成的保护电极及保护配线;该保护膜形成于含有该保护电极及该保护配线之该绝缘性基板上,且具有与该保护膜之电晶体用开口区形成之同时,贯穿该汲极配线、该保护电路用之源极/汲极配线、该保护电极及该保护配线上之既定位置而形成的保护电路用开口区;该层间绝缘膜具有与该凹凸面之形成之同时,贯穿对应于该保护膜之保护电路用开口区之位置而形成的保护电路用开口区;具有与于该反射电极形成之同时,形成于该层间绝缘膜上之既定位置,且贯穿既定之该保护膜及该层间绝缘膜各自的保护电路用开口区而与该保护电路用之源极/汲极配线与该保护配线成电性连结的第1短路配线;及具有与该反射电极形成之同时,形成于该层间绝缘膜上之既定位置,且贯穿既定之该保护膜及该层间绝缘膜各自的保护电路用开口区而与该汲极配线与该保护电极成电性连结的第2短路配线。12.如申请专利范围第9项之反射型液晶显示装置,其中,该源极/汲极配线、该电容电极或该保护电路用之源极/汲极配线系进行PH3处理。13.一种制造液晶显示装置之主动矩阵基板的方法,其于基板上之汲极滙流线与闸极滙流线之交叉区所设置的切换电晶体之源极电极上,于绝缘膜上所形成的反射电极具有接触孔,其特征为:于已形成该切换电晶体、汲极配线与闸极配线的该基板上,沈积为了成为与该反射板电极之界面的感光型薄膜;及利用半色调曝光或二次曝光之其中的一种,进行贯穿该感光型绝缘膜之界面凹凸与该感光型绝缘膜之接触孔的形成。14.如申请专利范围第13项之制造方法,其中,将已形成该接触孔之该感光型绝缘膜作为蚀刻光罩,于该基板与该感光型绝缘膜之间所插入之绝缘膜上,形成到达该源极电极的接触孔。15.如申请专利范围第13项之制造方法,其中,于已形成源极与汲极电极图案之绝缘性基板上,沈积矽层、闸极绝缘膜与闸极电极层;及利用曝光与蚀刻,形成闸极电极与该闸极滙流线之图案,接着,连续蚀刻该闸极绝缘层、矽层,作成正偏位构造之该切换电晶体。16.一种制造液晶显示装置之主动矩阵基板的方法,其具有于基板上之汲极滙流线与闸极滙流线交叉区所设置的正偏位构造之切换电晶体,其特征为:于已形成源极与汲极电极图案的绝缘性基板上,沈积矽层、闸极绝缘膜与闸极电极层;及利用曝光与蚀刻,形成闸极电极与该闸极滙流线,接着,连续蚀刻该闸极绝缘层、该矽层,作成正偏位构造之该切换电晶体。图式简单说明:图1系有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板的电路图。图2系模式化显示有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板制程之第1俯视图。图3系模式化显示有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板制程之第2俯视图。图4系模式化显示有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板制程之第3俯视图。图5系模式化显示有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板制程之第4俯视图。图6系模式化显示有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板制程之第5俯视图。图7(a)~(e)系模式化显示有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板电晶体区制程之制程剖面(A-A'间)图。图8(a)~(e)系模式化显示有关于本发明实施例1之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板电晶体区制程之制程剖面(B-B'间)图。图9系有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板的电路图。图10(a)~(f)系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板电晶体区制程之制程剖面图。图11系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之保护电路区制程的第1俯视图。图12系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之保护电路区制程的第2俯视图。图13系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之保护电路区制程的第3俯视图。图14系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之保护电路区制程的第4俯视图。图15系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之保护电路区制程的第5俯视图。图16系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之保护电路区制程的第6俯视图。图17(a)~(d)系模式化显示有关于本发明实施例2之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之层间绝缘膜表面处理制程的制程剖面图。图18系显示有关于习知一例之反射型液晶显示装置上的主动矩阵基板之制造方法的流程图。 |
