| 主权项 |
1.一种画素结构,适于藉由一扫描配线以及一资料 配线驱动,该画素结构包括: 一第一薄膜电晶体,该第一薄膜电晶体具有一第一 闸极与一第一源极/汲极,其中该第一闸极电性连 接于该扫描配线,而该第一源极/汲极的一端电性 连接于该资料配线; 一第二薄膜电晶体,该第二薄膜电晶体具有一第二 闸极与一第二源极/汲极,其中该第二闸极系电性 浮置,而该第二源极/汲极的一端电性连接于该资 料配线;以及 一画素电极,该画素电极电性连接于该第一源极/ 汲极的另一端以及该第二源极/汲极的另一端。2. 如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该第 一薄膜电晶体更具有一第一通道层,且该第一通道 层系位于该第一闸极与该第一源极/汲极之间。3. 如申请专利范围第2项所述之画素结构,其中该第 一通道层之材质包括非晶矽以及多晶矽其中之一 。4.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该 第二薄膜电晶体更具有一第二通道层,且该第二通 道层系位于该第二闸极与该第二源极/汲极之间。 5.如申请专利范围第4项所述之画素结构,其中该第 二通道层之材质包括非晶矽以及多晶矽其中之一 。6.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该 第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体为顶闸极结 构之薄膜电晶体。7.如申请专利范围第1项所述之 画素结构,其中该第一薄膜电晶体与该第二薄膜电 晶体为底闸极结构之薄膜电晶体。8.如申请专利 范围第1项所述之画素结构,更包括一拟导体层,其 中该拟导体层电性连接于该扫描配线,且该拟导体 层位于该第二闸极旁。9.一种申请专利范围第1项 之画素结构的修补方法,包括下列步骤: 将该第一源极/汲极与该资料配线连接的一端切断 ,以使该第一薄膜电晶体不受该资料配线连驱动; 以及 藉由一雷射修补制程形成一修补导体层,并藉由该 修补导体层将该第二闸极与该扫描配线电性连接, 以使该第二薄膜电晶体被该扫描配线与该资料配 线驱动。10.如申请专利范围第9项所述之画素结构 的修补方法,其中将该第一源极/汲极与该资料配 线连接的一端切断之方法包括雷射烧断。11.如申 请专利范围第9项所述之画素结构的修补方法,其 中该修补导体层的形成方法包括雷射化学气相沈 积。12.一种申请专利范围第8项之画素结构的修补 方法,包括下列步骤: 将该第一源极/汲极与该资料配线连接的一端切断 ,以使该第一薄膜电晶体不受该资料配线连驱动; 以及 藉由一雷射修补制程形成一修补导体层,并藉由该 修补导体层将该第二闸极与该拟导体层电性连接, 以使该第二薄膜电晶体被该扫描配线与该资料配 线驱动。13.如申请专利范围第12项所述之画素结 构的修补方法,其中将该第一源极/汲极与该资料 配线连接的一端切断之方法包括雷射烧断。14.如 申请专利范围第12项所述之画素结构的修补方法, 其中该修补导体层的形成方法包括雷射化学气相 沈积。图式简单说明: 第1A图至第1C图为习知一种具有修补亮点功效的画 素结构之上视示意图; 第2A图至第2C图系依照本发明之一较佳实施例之画 素结构之上视示意图; 第3A图与第3B图系依照本发明之修补方法修补后的 画素结构之上视示意图;以及 第4图则是依照本发明之一较佳实施例之修补画素 结构的步骤流程图。 |
