发明名称 聚合物,其制法,含该聚合物之薄膜形成用组成物,薄膜形成之方法及绝缘膜
摘要 一种薄膜形成用组成物,其可于短时间内硬化,而获得一种具有低介电常数以及绝佳耐热性、黏着性及耐裂性的薄膜,一种用于该组成之聚合物,以及一种制造该聚合物之方法。经由溶解具有特定重复单位之聚合物于溶剂中而制备之组成物具有绝佳薄膜形成性质。该聚合物具有如下通式(1)表示之重复单位:其中Z及Y定义如文。
申请公布号 TW583212 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW091108550 申请日期 2002.04.25
申请人 JSR股份有限公司 发明人 冈田敬;筱原宣康;白土香织;海老泽政彦;西川通则;山田欣司
分类号 C08G61/00;C08F38/00 主分类号 C08G61/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种聚合物,其具有如下通式(1)表示之重复单位: 其中Z为至少一个选自如下通式(2)及(3)表示之二价 芳香族基组成的组群之二价芳香族基: 其中R1及R2各自分别表示单键、-O-、-CO-、-CH2-、- COO-、-CONH-、-S-、-SO2-、伸苯基、伸芴基、或下式 表示之二价基 R3.R4.R5及R6各自分别表示含1至20个碳原子之烃基、 氰基、硝基、含1至20个碳原子之烷氧基,或芳基;a 为1至3之整数;以及b、c、d及e各自分别为0至4之整 数,以及Y为至少一个选自如下通式(4)及(5)表示之 二价芳香族基组成的组群之二价芳香族基: 其中R7及R8各自分别表示单键、-O-、-CO-、-CH2-、- COO-、-CONH-、-S-、-SO2-、伸苯基、伸芴基;R9.R10.R11 及R12各自分别表示含1至20个碳原子之烃基、氰基 、硝基、含1至20个碳原子之烷氧基,或芳基;f为0至 3之整数;以及g、h、i及j各自分别为0至4之整数。2. 如申请专利范围第1项之聚合物,其具有-O-或-CO-于 聚合物主链。3.一种制造如申请专利范围第1项之 聚合物之方法,该方法包含聚合至少一种选自下式 (6)及(7)表示之化合物组成的组群之化合物: 其中R1.R2.R3.R4.R5.R6.a、b、c、d及e具有如申请专利 范围第1项就通式(1)所述定义;以及X表示卤原子, 以及至少一种选自如下通式(8)及(9)表示之化合物 组成的组群之化合物: 其中R7.R8.R9.R10.R11.f、g、h、i及j具有如申请专利范 围第1项就通式(1)所述定义, 该聚合反应系于催化剂存在下进行。4.如申请专 利范围第3项之方法,其中,该催化剂包含过渡金属 化合物及硷性化合物。5.一种薄膜形成用组成物, 其含有如申请专利范围第1项之聚合物。6.一种薄 膜形成之方法,包含施用如申请专利范围第5项之 薄膜形成用组成物至基板及然后硬化所得涂膜。7 .一种绝缘膜,其系经由如申请专利范围第6项之薄 膜形成之方法所制成。图式简单说明: 图1为代表图显示实施例2所得聚合物之1H-NMR光谱; 以及 图2为代表图显示实施例2所得聚合物之IR光谱。
地址 日本