| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication de nano-structure filaire. Le procédé comprend les étapes suivantes :- fabrication d'un film mince semi-conducteur dopé (1) s'étendant entre une première borne (4) et une deuxième borne (5), et- passage d'un courant entre la première et la deuxième borne de façon à former au moins une surépaisseur continue (R1, R2, R3) dans le film mince semi-conducteur dopé, par migration, sous l'action du courant, d'une fraction du matériau semi-conducteur dopé, la surépaisseur continue se formant selon la direction du courant qui parcourt le film.L'invention s'applique à la conception de nano-circuits.
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