| 发明名称 | 半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体衬底制造方法，包括步骤：在具有硅表面的衬底上形成第一缓冲Si层；在第一缓冲Si层上顺序外延生长第一应变SiGe层和第一Si层；将离子注入所获衬底中并对衬底退火以松弛第一应变SiGe层中的晶格点阵并在第一Si层中产生拉应变；在所获衬底上外延顺序生长第二缓冲Si层和第二SiGe层；并在第二SiGe层上形成一个具有拉应变的第二Si层。 | ||
| 申请公布号 | CN1487565A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN03156277.9 | 申请日期 | 2003.09.02 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 竹中正浩 |
| 分类号 | H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：在具有硅表面的衬底上形成第一缓冲Si层；在第一缓冲Si层上顺序外延生长第一应变SiGe层和第一Si层；在所获衬底中注入离子然后对衬底回火以松弛第一应变SiGe层中的点阵并由此在第一Si层产生拉应变：在所获衬底上外延顺序生长第二缓冲Si层和第二SiGe层；并在第二SiGe层上形成一个具有拉应变的第二Si层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||