| 发明名称 | 微电子工艺和结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及将空气作为电介质集成到半导体器件中的方法和用该方法生产的以空气层作为电介质的半导体器件，该方法包括下述步骤：a、在衬底(1)上涂布将要形成图案的电介质层(2)；b、在已经涂布的电介质层(2)上形成图案；c、在形成图案的电介质层(2)上涂布导电金属(3)，由导电金属(3)和电介质层(2)形成共用表面；d、在步骤c产生的层上涂布有机电介质层(4)；和e、为了形成用空气作为导体结构之间的电解质且在顶面上有连续电介质层(4)的布置，使用这种方式形成的涂层衬底与含氟化合物接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1487579A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN03154813.X | 申请日期 | 2003.08.19 |
| 申请人 | 印芬龙科技股份有限公司 | 发明人 | R·塞齐 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31;H01L23/532 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 龚海军 |
| 主权项 | 1、一种将空气作为电介质集成到半导体器件中的方法，包括下述步骤：a、在衬底(1)上涂布将要形成图案的电介质层(2)；b、在已经涂布的电介质层(2)上形成图案；c、在形成图案的电介质层(2)上涂布导电金属(3)，由导电金属(3)和电介质层(2)形成共用表面；d、在步骤c产生的层上涂布有机电介质层(4)；和e、为了形成用空气作为导体结构之间的电解质且在顶面上有连续电介质层(4)的布置，使用这种方式形成的涂层衬底与含氟化合物接触。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||