| 发明名称 | 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件一用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下1.3微米发光，并显著提高室温下光荧光发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为19.2meV，将其应用于1.3微米波段的量子点激光器、探测器等各种光电子器件中，将极大地改善该类器件的性能如：降低其激光器阈值电流、增强探测器灵敏度等。 | ||
| 申请公布号 | CN1145247C | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN01104430.6 | 申请日期 | 2001.02.26 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 牛智川;封松林;杨富华;王晓东;汪辉;李树英;苗振华;李树深 |
| 分类号 | H01S5/323;H01L21/20 | 主分类号 | H01S5/323 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种分子束外延生长的1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点材料，其特征在于包括：第一层为GaAs过渡层；第二层为In0.5Ga0.5As量子点结构；第三层为AlAs间隔层；第四层为In0.2Ga0.2As的应力减小层；第五层为GaAs表面保护层。 | ||
| 地址 | 100083北京市912信箱 | ||