光致抗蚀图形的形成方法

摘要

在据照相平版法(光刻)的集成电路元件的制备方法中，一个可降低在形成抗蚀图形过程中由于基片的性质或基片表面的酸度所导致的不利影响的方法，其中用一个化学增强性抗蚀剂作为光致抗蚀剂，以及一个用于该方法的基片处理剂组合物。该基片处理剂组合物包含一个含有由至少一个如伯、仲、叔胺和含氮的杂环化合物的碱性化合物与一个如磺酸或羧酸的有机酸所形成的盐的溶液，把该组合物涂敷在一个具有底部抗反射涂层，如SioN层的基片表面上，接着将其烘烤，如需要还可清洗之，然后在上述处理过的基片上涂敷化学增强性抗蚀剂，接着进行曝光和显影，由此在该基片上可形成一个光致抗蚀图形。

主权项

1.一种用于处理欲形成光致抗蚀图形的基片的基片处理剂组合物，其中该组合物由下述组份组成：(1)由选自伯、仲、叔胺和含氮的杂环化合物的至少一种碱性化合物与一种有机酸所形成的盐，该盐的含量为0.01～1重量％，其中的有机酸是至少一种选自具有至少一个取代基的脂族、脂环族或芳香族的磺酸类或者具有至少一个取代基的脂环族或芳香族的羧酸类；(2)一种溶剂或溶剂混合物；以及(3)含量为0～10重量％的一种水溶性或碱溶性聚合物。