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发明名称
积体电路之特性分析及与降低变异性
摘要
本发明提供一种方法与系统,用以降低积体电路制造过程中薄膜之半导体制程结果所产生之变异。此方法系利用制程变异与电性分析以调整积体电路之设计与制造流程。
申请公布号
TW200405184
申请公布日期
2004.04.01
申请号
TW092114879
申请日期
2003.06.02
申请人
普色格斯公司
发明人
提伯H 史密斯;大卫 怀特;维卡斯 美罗塔拉
分类号
G06F17/50
主分类号
G06F17/50
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
美国
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