发明名称 |
曝光后特性改善的193奈米光阻剂193NM RESIST WITH IMPROVED POST-EXPOSURE PROPERTIES |
摘要 |
一种能够以193奈米电磁波及/或其它可能的电磁波影像化并显影形成显影特征改善及蚀刻阻抗改善的光阻结构之酸催化正型光阻组合物,此酸催化正型光阻组合物系使用含有一影像聚合物成份(imagingpolymercomponent)之光阻组合物,此影像聚合物成份包含一具有一单体单元(monomericunit)之一酸敏感聚合物(acid-sensitivepolymer),此单体单元有一具远端酸不安定部分体(remoteacidlabilemoiety)之悬垂基(pendantgroup)。 |
申请公布号 |
TW200405129 |
申请公布日期 |
2004.04.01 |
申请号 |
TW092124580 |
申请日期 |
2003.09.05 |
申请人 |
国际商业机器股份有限公司 |
发明人 |
寇嘉斯特;陈 光荣;法拉那西 普许卡拉 拉欧;西村幸雄;小林荣一 |
分类号 |
G03F7/039 |
主分类号 |
G03F7/039 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
主权项 |
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地址 |
美国 |