半导体装置

摘要

本发明之半导体装置，系不致引起储存节点形状不良与圆筒倒塌现象，且可防止SC多晶矽之障壁金属间之界面产生氧化现象，更可降低漏电流。本发明的半导体装置系具备有：位于半导体基板上，并设有储存节点(20)的储存节点触点绝缘膜(5)；储存节点绝缘膜(7)；配置呈贯穿储存节点绝缘膜，且从储存节点绝缘膜起朝上方延伸的储存节点(20)；其中，储存节点接触部(16)系朝储存节点触点底部凹入，而储存节点底部则形成嵌入此凹入部分的凸形状。