| 摘要 |
本发明揭示一种制造包括一非选择性磊晶长成SiGe(C)异质接面双极电晶体之半导体装置之方法，包含步骤：于一基板上形成一绝缘层(12，40)及在该绝缘层(12，40)上提供一具一传导层(14，42)之层结构；蚀刻一穿经该传导层(14，42)之电晶体区开孔(22，44)；沉积一SiGe基极层(24，46)于该电晶体区开孔(22，44)之内壁上及在一上表面上形成一绝缘体(32，52)，以填充该电晶体区开孔，其中在填充步骤前，形成一氮化物层(30，50)，做为一该电晶体区开孔(22，44)之内层。 |
