GAN单晶基板,氮化物型半导体磊晶基板,氮化物型半导体装置及其制造方法

摘要

根据本发明之单晶基板11，其系具有一研磨表面，该研磨表面在一至少包含氨气(NH3)的混合气体环境中，于至少1020℃的基板温度下进行至少10分钟的热处理。结果为：因为研磨而产生大量微小缺陷(minutedefects)该基板11的表面产生原子重排，因而将该基板11的表面平坦化。因此可以使一形成在该基板11上之磊晶层12的表面变平坦。