| 主权项 |
1.一种雷射照射装置,包含: 一雷射光产生装置; 一分束装置,系将该雷射光产生装置产生之雷射光 分束成复数束; 一光干涉装置,系令该分束装置分束之该复数束彼 此干涉以形成一周期性光图样;及 一相位变移装置,用于光电式变移由该分束装置分 束之该复数束中至少一者之相位。2.如申请专利 范围第1项之雷射照射装置,其中该雷射光产生装 置系一根据雷射二极体激励之脉冲振荡雷射。3. 一种处理一半导体薄膜之方法,包含以下步骤:以 藉由雷射光所分束之复数光束间之干涉而产生之 一周期性光图样照射该半导体薄膜,藉此局部熔化 该半导体薄膜,及随后于该光图样之周期内在该光 图样之配置方向中移动该光图样,其中 该光图样之移动系藉由光电式变移该等光束中至 少一束之相位而实施。4.如申请专利范围第3项处 理一半导体薄膜之方法,其中 该雷射光系一利用雷射二极体激励而脉冲振荡之 雷射光。5.如申请专利范围第1项之雷射照射装置, 其中雷射光源系一准分子雷射,及该雷射光之波长 在150至450nm范围内。6.如申请专利范围第1项之雷 射照射装置,其中光干涉之周期在0.5至20m范围内 。7.如申请专利范围第1项之雷射照射装置,其中一 次熔化时之熔化物宽度或熔化物直径在0.5至20m 范围内。8.如申请专利范围第3项处理一半导体薄 膜之方法,其中 雷射光源系一准分子雷射,及该雷射光之波长在150 至450nm范围内。9.如申请专利范围第3项处理一半 导体薄膜之方法,其中 光干涉之周期在0.5至20m范围内。10.如申请专利 范围第3项处理一半导体薄膜之方法,其中 一次熔化时之熔化物宽度或熔化物直径在0.5至20 m范围内。图式简单说明: 图1系示意图,揭示第一实施例雷射照射装置之结 构; 图2A至2F系示意图,说明第一实施例处理一半导体 薄膜之方法; 图3系平面图,说明第一实施例处埋一半导体薄膜 之方法; 图4示意图,说明矽晶体之横向生长; 图5系示意图,揭示第二实施例雷射照射装置之结 构; 图6系示意图,揭示第三实施例雷射照射装置之结 构; 图7系平面图,说明第三实施例处理一半导体薄膜 之方法; 图8A、8B系截面步骤图(第一),说明藉由施加本发明 处理一半导体薄膜方法以制造一薄膜电晶体之方 法之第一实例; 图9A、9B系截面步骤图(第二),说明藉由施加本发明 处理一半导体薄膜方法以制造一薄膜电晶体之方 法之第一实例; 图10A、10B系截面步骤图(第一),说明藉由施加本发 明处理一半导体薄膜方法以制造一薄膜电晶体之 方法之第二实例; 图11系截面步骤图(第二),说明藉由施加本发明处 理一半导体薄膜方法以制造一薄膜电晶体之方法 之第二实例; 图12系藉由施加本发明处理一薄膜电晶体方法所 取得一薄膜电晶体构成之显示系统之主要部分之 截面图; 图13系结构示意图,揭示一习知SLS方法处理一半导 体薄膜方法之配置方式;及 图14系图表,揭示雷射能量与多晶矽平均粒径对之 间之关系。 |
