半导体器件及其生产方法

摘要

一个半导体器件具有一个器件隔离氧化膜，一个层间绝缘膜，几个氢气隔离膜，一个下部电极，一个电容器件绝缘膜，一个上部电极，一个层间绝缘膜和一个连线层，形成在硅基片上。一个栅极形成在硅基片上杂质扩散区之间的栅极氧化膜上。而且，一个电容器部件，包括下部电极，电容器绝缘膜和上部电极，被几个氢气隔离膜完全覆盖。

主权项

1、一个半导体器件，其特征在于它包括：一个基片，所说的基片形成一个基片平面；一个晶体管部件，该部件在所说的基片上有一个栅极氧化膜，所说的栅极氧化膜上有一个栅极，该部件还有一个杂质扩散区；一个电容器部件，该部件有一个上部和下部电极及一个电容器绝缘膜，所述下部电极具有电极上表面和电极侧表面，所述电容器绝缘膜位于所述电极上表面之上；所说的电容器绝缘膜是从由铁电材料或高介电常数的材料组成的一批物质中选出的一种材料构成的，所说的电容器部件的上部有一个接触部位对所说的杂质扩散区和所说的电容器部件进行电气连接，在所述基片平面上所说的电容器部件和所说的晶体管部件相互之间并不搭迭；第一不导电氢气隔离膜，所述第一不导电氢气隔离膜位于所述下部电极的下面；第二不导电氢气隔离膜，所述第二不导电氢气隔离膜覆盖所述电容器部件的除接触部分以外的顶部，并还覆盖所述绝缘体侧表面和所述电极侧表面；及导电的氢气隔离膜，所述导电的氢气隔离膜位于所述电容器部分的所述顶部并覆盖所述接触部分；从而所说的晶体管部件上没有所说的氢气隔离膜。