发明名称 |
形成凹槽栅极轮廓的方法 |
摘要 |
本发明提供一种形成凹槽栅极轮廓的方法,其是在一基底表面形成一垫氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构后,进行一热氧化制造过程,消耗部份的多晶硅层,以在该多晶硅层周围区域形成一氧化薄层,其中在多晶硅层与垫氧化层接口间,会形成一凹陷的氧化区域;再进行一蚀刻步骤,去除多晶硅层上表面与两侧的氧化薄层及部份的垫氧化层,即可形成一具凹槽栅极轮廓的结构,继续后续的半导体制造过程以制作其它的半导体组件。利用本发明的方法可减少栅极与源极/漏极延伸区的寄生电容,提升组件的运作进度,藉此简化制造过程难度,增加对制造过程的控制性,使得当组件尺寸缩小的情况下,仍可保持组件的特性,提升产品的合格率。 |
申请公布号 |
CN1485886A |
申请公布日期 |
2004.03.31 |
申请号 |
CN02143074.8 |
申请日期 |
2002.09.27 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
许允峻 |
分类号 |
H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱黎光 |
主权项 |
1.一种形成凹槽栅极轮廓的方法,其特征是包括下列步骤:提供一基底,其上已形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一导电层;去除部份的该导电层以形成一栅极堆栈结构,其中该栅极堆栈结构包括与该垫氧化层相接触的第一边,与相对于该第一边的第二边;及对该栅极堆栈结构进行热氧化处理,使得该第一边的长度小于该第二边的长度。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |