| 发明名称 |
Bit line precharge and discharge circuit for programming non-volatile memory |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1235230(A3) |
申请公布日期 |
2004.03.31 |
| 申请号 |
EP20010308023 |
申请日期 |
2001.09.20 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, YEONG-TAEK |
| 分类号 |
G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/30;(IPC1-7):G11C16/24 |
主分类号 |
G11C16/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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