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发明名称 SUBSTRAT SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) ET METHODE DE FABRICATION DUDIT SUBSTRAT
摘要
申请公布号 FR2782572(B1) 申请公布日期 2004.03.26
申请号 FR19990004802 申请日期 1999.04.16
申请人 NEC CORPORATION 发明人 OGURA ATSUSHI
分类号 H01L21/265;H01L21/02;H01L21/762;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/84 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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