| 发明名称 | 电子发射器件及利用此电子发射器件的显示器件 | ||
| 摘要 | 一种电子发射器件具有高电子发射效率。该器件包括金属或半导体的电子提供层、形成于电子提供层上的绝缘层、及形成于此绝缘层上的薄膜金属电极。绝缘层的膜厚为50nm或50nm以上。电子提供层由硅晶片制成。在电场加于电子提供层和薄膜金属电极间时，此电子发射器件发射电子。 | ||
| 申请公布号 | CN1143343C | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN98120467.8 | 申请日期 | 1998.10.22 |
| 申请人 | 先锋电子株式会社 | 发明人 | 山田高士;小笠原清秀;吉川高正;中马隆;根岸伸安;岩崎新吾;伊藤宽;吉泽淳志;柳沢秀一;酒村一到 |
| 分类号 | H01J1/30 | 主分类号 | H01J1/30 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 主权项 | 1.一种电子发射器件，包括：电子提供层；形成于电子提供层上的绝缘层；及形成于此绝缘层上并面对真空空间的薄膜金属电极，其特征在于，所说绝缘层的膜厚为50nm或50nm以上，所说电子提供层由硅晶片制成，因而，在电场加于电子提供层和薄膜金属层之间时，此电子发射器件发射电子。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||