发明名称 | 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置 | ||
摘要 | 一种半导体装置的制造方法,包括:使热硬化性的各向异性导电材料16介入到基板12与半导体元件20之间的第1工序;在半导体元件20与基板12之间施加压力和热、使布线图形10与电极22导电性地导通、在各向异性导电材料16从半导体元件20溢出的状态下,在与半导体元件20接触的区域中使各向异性导电材料16硬化的第2工序;以及对各向异性导电材料16的与半导体元件20接触的区域以外的区域进行加热的第3工序。 | ||
申请公布号 | CN1143375C | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
申请号 | CN99801439.7 | 申请日期 | 1999.06.25 |
申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 桥元伸晃 |
分类号 | H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/60 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:使粘接剂介入到基板的形成了布线图形的面与半导体元件的形成了电极的面之间的第1工序;在上述半导体元件与上述基板之间施加能量、使上述布线图形与上述电极导电性地导通、在上述粘接剂从上述半导体元件溢出的状态下,使上述粘接剂的粘接能在与上述半导体元件接触的区域中显现出来的第2工序;以及在上述第2工序终结后,还在上述粘接剂的与上述半导体元件接触的区域以外的区域中施加用以硬化上述粘接剂的能量的第3工序。 | ||
地址 | 日本东京都 |