发明名称 半导体器件
摘要 一种电极结构及其制造方法:(i)制备具有规则相距的外缘接合焊盘的阵列的扁平方形IC芯片,沿芯片四边中每一边接合焊盘的数量由函数2i(2i-1)等量确定,其中“i”是整数,其还具有铝制外连接焊盘;(ii)接着通过无电镀技术在芯片上形成镍和金涂覆层;(iii)通过热压接合技术,使外缘接合焊盘与焊盘布局转换基片电接合,该转换基片用于把外缘接合焊盘重新布置成焊料焊盘的栅格阵列;(iv)在转换基片与IC芯片之间填充黏合树脂。
申请公布号 CN1143384C 申请公布日期 2004.03.24
申请号 CN97103192.4 申请日期 1997.01.16
申请人 株式会社日立制作所 发明人 石野正和;佐藤了平;御田护
分类号 H01L23/50;H01L21/60;H01L21/98 主分类号 H01L23/50
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;傅康
主权项 1.一种半导体器件,包括:集成电路芯片,在其外缘部分布置有多个外连接焊盘;布线基片,其具有在该布线基片的第一面上布置的多个外缘接合焊盘,和在该布线基片的第二面上的具有多个电极的区域阵列,该区域阵列的一部分包含外缘电极,所述外缘接合焊盘被以第一间距相分隔并被设置在与所述集成电路芯片的外连接焊盘相对应的位置,所述阵列的外缘电极被以第二间距相分隔并被设置在与该万元接合焊盘相对应的位置,所述区域阵列的电极被电连接到该外缘接合焊盘,该外缘结合焊盘被电连接到所述集成电路芯片的外连接焊盘,所述布线基片可使所述外缘接合焊盘电连接入该区域阵列,其中该区域阵列的外缘电极的第二间距是该外缘接合焊盘的第一间距的整数倍,其中该整数大于等于2。
地址 日本东京都