| 摘要 |
"PROCESSO E DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR UMA CAMADA DE SILìCIO, PELO MENOS PARCIALMENTE CRISTALINA, EM UM SUBSTRATO". Em um processo e dispositivo para depositar uma camada de silício, pelo menos parcialmente cristalina, é gerado um plasma e um substrato (24) é exposto, sob a influência do plasma, a um fluido fonte contendo silício, para deposição nele de silicio. Uma queda de pressão é aplicada entre um local (12), onde o fluido fonte é suprido, e o substrato (24). Além do fluido fonte, um fluido auxiliar é também injetado, que é capaz de atacar os átomos de silício não-cristalinos. O substrato (24) é exposto tanto ao fluido fonte como ao fluido auxiliar.
|
