| 主权项 |
1.一种使用C/V技术非侵入性评估在一晶圆中的载子浓度的方法,该晶圆包括一含铟化合物半导体表面层,其中该载子浓度评估方法包括:表面性接触一晶圆上的液态电极;以及使用一高达超过10伏的电压的应用电压来评估晶圆的C/V特性而不使用光蚀刻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中一种液体般的EDTA溶液被用来当作液态电极。3.如申请专利范围第2项之方法,其中液体般的EDTA溶液含有80%或更多的EDTA。4.如申请专利范围第1项之方法,其中液态儿苯酚-3,5-二磺酸钠(tiron)被用来当作液态电极。5.如申请专利范围第1项之方法,其中一熔化的金属镓被用来当作液态电极。6.一种使用C/V技术评估在一晶圆中的载子浓度的方法,该晶圆包括一含铟化合物半导体表面层,其中该载子浓度评估方法包括:以一熔化的金属镓表面性接触该晶圆并将其凝固,以形成一金属镓电极;使用一高达超过10伏的电压的应用电压以评估载子浓度;以及在评估之后,熔化清除该金属镓电极。7.一种化合物半导体晶圆,其系包括一含铟化合物半导体表面层,其中该晶圆中的载子浓度以非侵入性方法评估,藉此以非侵入性法评估该晶圆得到的载子浓度可在该晶圆用于制作元件时使用。8.一种化合物半导体晶圆,其系包括一含铟化合物半导体表面层,其中该晶圆中载子浓度以如申请范围第1项之方法而非侵入性评估,藉此该晶圆以由非侵入性法评估得到的载子浓度可在该晶圆用于制作元件时使用。9.一种化合物半导体晶圆,其系包括一含铟化合物半导体表面层,其中该晶圆中载子浓度以如申请范围第2项之方法而非侵入性评估,藉此该晶圆以由非侵入性法评估得到的载子浓度可在该晶圆用于制作元件时使用。10.一种化合物半导体晶圆,其系包括一含铟化合物半导体表面层,其中该晶圆中载子浓度以如申请范围第3项之方法而非侵入性评估,藉此该晶圆以由非侵入性法评估得到的载子浓度可在该晶圆用于制作元件时使用。11.一种化合物半导体晶圆,其系包括一含铟化合物半导体表面层,其中该晶圆中载子浓度以如申请范围第4项之方法而非侵入性评估,藉此该晶圆以由非侵入性法评估得到的载子浓度可在该晶圆用于制作元件时使用。12.一种化合物半导体晶圆,其系包括一含铟化合物半导体表面层,其中该晶圆中载子浓度以如申请范围第5项之方法而非侵入性评估,藉此该晶圆以由非侵入性法评估得到的载子浓度可在该晶圆用于制作元件时使用。13.一种化合物半导体晶圆,其系包括一含铟化合物半导体表面层,其中该晶圆中载子浓度以如申请范围第6项之方法而非侵入性评估,藉此该晶圆以由非侵入性法评估得到的载子浓度可在该晶圆用于制作元件时使用。图式简单说明:图1为一评估结果的曲线图,根据本发明的一个具体实施例,一化合物半导体晶圆中的载子浓度;而图2为一方块图表示一传统C/V分析器的例子。 |
