| 主权项 |
1.一种建构于一基板上之有机发光二极体装置,其包括:一开关TFT及一驱动器TFT,每个均在该基板上形成;对于每一像素,在该基板上形成的一有机发光二极体元件,二者间置入一绝缘膜,该有机发光二极体元件与该驱动器TFT连接;与一共用电极连接的一阳极;以及一阴极,其连接该驱动器TFT及该绝缘膜上形成的该有机发光二极体元件,其中该阳极系连接复数个该等像素而构成。2.如申请专利范围第1项之有机发光二极体装置,其中该驱动器TFT包含n型非晶矽与n型多晶矽中的任一个,用作一活动层。3.如申请专利范围第1或2项之有机发光二极体装置,其中构成的该有机发光二极体装置,至少包含一发光部分及一电子传输部分,每一部分均含有自洽形成的一部分。4.如申请专利范围第1或2项之有机发光二极体装置,其中该有机发光二极体装置具有一顶部发光结构。5.一种于一基板上制造一有机发光二极体装置之方法,其包括以下步骤:在该基板上形成一开关TFT及一驱动器TFT;形成涂布该开关TFT及该驱动器TFT的一绝缘膜;在该绝缘膜上形成复数个像素共用的一阳极,用作一共用电极;在该阳极上决定一区域,以形成与该阳极连接的一有机发光二极体元件;以及在该区域形成该有机发光二极体元件。6.如申请专利范围第5项之于一基板上制造一有机发光二极体装置之方法,其中形成该有机发光二极体装置的步骤包括以下步骤:围绕形成该有机发光二极体元件的该区域形成一突起结构;以及藉由一蒸发方法,在该突起结构的一内部,自洽地形成该有机发光二极体元件。7.如申请专利范围第5或6项之于一基板上制造一有机发光二极体装置之方法,其中形成至少一个驱动器TFT的步骤包含之步骤,系形成一n-型非晶矽活动层与一n-型多晶矽活动层中的任一个。8.如申请专利范围第5或6项之于一基板上制造一有机发光二极体装置之方法,其中形成了一顶部发光类型的一有机发光二极体装置。9.一种建构于一基板上之有机发光二极体装置,其包括:一开关TFT及一驱动器TFT,每个均在该基板上形成;对于每一像素,在该基板上形成的一有机发光二极体元件,二者间置入一绝缘膜,该有机发光二极体元件与该驱动器TFT连接;包括一悬突的一突起部分,该突起部分系围绕该有机发光二极体元件形成,并从该绝缘膜突出;与一共用电极连接的一阳极;以及一阴极,其连接该驱动器TFT及该绝缘膜上形成的该有机发光二极体元件;其中该阳极系连接复数个该等像素而构成。10.一种于一基板上制造一有机发光二极体装置之方法,其包括以下步骤:在该基板上形成一开关TFT及一驱动器TFT;形成涂布该开关TFT及该驱动器TFT的一绝缘膜;在该绝缘膜上形成复数个像素共用的一阳极,用作一共用电极;围绕形成一有机发光二极体元件的一区域,形成一突起结构,以决定形成该有机发光二极体元件的该区域;藉由一蒸发方法,利用该突起结构,在该阳极上自洽地形成该有机发光二极体元件;以及利用该突起结构,自洽地形成涂布该有机发光二极体元件的一阴极。图式简单说明:图1系本发明之有机发光二极体装置的驱动器电路构造图。图2系构成本发明之驱动器电路的半导体结构断面图。图3显示本发明之有机发光二极体装置的制程。图4显示本发明之有机发光二极体装置的制程。图5显示本发明之有机发光二极体装置的制程。图6显示本发明之有机发光二极体装置的制程。图7显示本发明之有机发光二极体装置的制程。图8系依据本发明制造有机发光二极体装置的平面图。图9系传统的顶部发光结构之有机发光二极体装置的断面图。图10系阴极共用结构的传统有机发光二极体装置的驱动器电路图。图11系半导体结构的断面图,其构成传统的有机发光二极体装置的驱动器电路,该装置具有利用n-型掺杂TFT的阳极共用结构。 |
