发明名称 具有超亲核性第4位取代基之啶催化剂及其制法
摘要 说明制备挤压成粒之超亲核性之第4-胺基被取代 之啶催化剂之较佳方法及自其所得之粒状产物。亦说明制备4-胺基啶化合物之较佳活化-取代-去活化方法,其涉及使用丙烯酸或丙烯醯胺或其类似物供活化,及取代步骤在温和硷性条件下于过量第4位取代用之胺试剂内进行。该等方法提供改良之反应过质块,其更易被加工以回收质纯而热安定性形式之产物。另亦说明经由啶甜菜硷制备第4位取代基之啶之方法。
申请公布号 TW580408 申请公布日期 2004.03.21
申请号 TW087112697 申请日期 1998.08.01
申请人 雷利工业公司 发明人 乔 W 柯蒂斯;查尔斯 R 霍珀;雷米亚 默鲁根;L 马克 赫克斯特;马鲁戴 贝拉苏布拉曼;乔尔 R 卡尔文;埃里克 F V 斯克里文
分类号 B01J31/00;C07D211/08 主分类号 B01J31/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种制备粒状超亲核性4-(第二或第三)胺基啶 催化剂之方法,含有: 提供超亲核性催化剂作为熔融可流动质块于温度 为115℃至130℃; 经由一孔口挤制该熔融可流动质块进入各对应于 欲形成之颗粒之分离液体部份内;及 冷却该分离液体部份以形成粒状超亲核性4-(第二 或第三)胺基啶催化剂,其中该挤制含有: 提供各具有孔口之第一及第二壁构件,其中壁构件 可互相相对移动以定期对准第一构件内之孔口与 第二构件之孔口一段预定时间; 提供熔融可流动质块在压力下抵住第一壁构件,使 当第一与第二壁构件内之孔口被对准时,该分离部 份经由对准的孔口挤制;及 接收并冷却在输送带上之该分离部分以形成该粒 状超亲核性4-(第二或第三)胺基啶催化剂。2.如 申请专利范围第1项之方法,其中该催化剂为4-N,N- 二甲基胺基啶。3.如申请专利范围第1项之方法, 其中该颗粒具有平均粒径为1至10mm。4.如申请专利 范围第3项之方法,其中该颗粒具有平均粒径为2至5 mm。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该颗粒具 有平均粒径为1至10mm。6.如申请专利范围第5项之 方法,其中该颗粒具有平均粒径为2至5mm。7.一种催 化剂,包含: 一种由申请专利范围第1项之方法所制备之粒状超 亲核性4-(第二或第三)胺基啶催化剂。8.如申请 专利范围第7项之催化剂,其中该催化剂为4-N,N-二 烷基胺基啶催化剂。9.如申请专利范围第7项之 催化剂,其中该催化剂为4-N,N-二甲基胺基啶催化 剂。10.如申请专利范围第8项之催化剂,其具有平 均直径为1至10mm之颗粒。11.如申请专利范围第10项 之催化剂,其中该催化剂为4-N,N-二甲基胺基啶。 12.一种制备4-(第二或第三)胺基啶之方法,含有: 将具有离基作为第4位取代基之第4位取代之啶 硷与下式之活化剂反应: 其中R3及R4,其可相同或相异,各为-H或C1-C4烷基,Z为- OR7或NR5R6,其中R5及R6其可为相同或相异并可一起形 成一环,各为-H或C1-C8烷基;及R7为-H或C1-C8烷基;俾可 形成对应1,4-取代基之啶; 将该1,4-取代基之啶与第一或第二胺反应以取代 供离基之胺基在第4位,藉以形成对应第一位取代 基-4-(第二或第三)胺基啶,其中该胺系相对于1,4- 取代之啶以至少2:1之莫耳比被包含,且该反应系 于实质上不具强硷之取代反应介质内进行,且在该 反应完成后具有pH为8至10, 处理第一位取代-4-胺基啶化合物以除去第一位 取代基,藉以形成包含4-(第二或第三)胺基-啶之 产物介质; 自产物介质萃取4-胺基啶化合物进入有机溶剂 中以形成萃取过介质; 蒸馏萃取过介质以自4-(第二或第三)胺基啶分离 有机溶剂。13.如申请专利范围第12项之方法,其中 胺为二烷胺。14.如申请专利范围第13项之方法,其 中二烷胺为二甲胺。15.如申请专利范围第12项之 方法,其中该取代反应介质具有实质上如由该1,4- 取代之啶及该胺所提供之硷性pH。16.如申请专 利范围第15项之方法,其中胺为二甲胺。17.如申请 专利范围第12项之方法,其中该活化剂为丙烯酸或 甲基丙烯酸。18.如申请专利范围第17项之方法,其 中该活化剂为丙烯酸。19.如申请专利范围第12项 之方法,其中该活化剂为丙烯醯胺或甲基丙烯醯胺 。20.如申请专利范围第12项之方法,亦含有: 在该蒸馏且无4-(第二或第三)胺基啶之再结晶后 ,将4-(第二或第三)胺基啶熔体加工成粒状形式 。21.如申请专利范围第20项之方法,其中4-(第二或 第三)胺基啶为4-N,N-二烷基胺基啶。22.如申请 专利范围第21项之方法,其中4-(二烷基胺基啶为4 -N,N-二甲基胺基啶。23.如申请专利范围第22项之 方法,其中熔体加工包括成片作用。24.如申请专利 范围第22项之方法,其中熔体加工包括挤压成粒作 用。25.一种制备第4位取代之啶化合物之方法, 包含: 首先将4-氰基啶与丙烯酸或甲基丙烯酸反应,俾 可形成对应第一1,4-取代之啶甜菜硷; 其次,将1,4-取代之甜菜硷与第一或第二之二烷胺 于实质上不具强硷之介质中由胺与啶甜菜硷提 供之pH下进行反应,以取代离基并形成第二1,4-取代 之啶甜菜硷;其中该第一或第二之二烷胺系相对 于该第一1,4-取代之啶甜菜硷以至少2:1莫耳比呈 现;及 处理第二1,4-取代基之甜菜硷以除去第一位取代基 并形成第4位取代之啶化合物。26.一种形成啶 甜菜硷之方法,包含: 将下式之第4位取代之啶: 其中L为离基,选自氰基、卤基、具有6至10个碳原 子之芳基磺醯基,经由一个或以上具有1至4个碳原 子之烷基选择性取代;具有6至10个碳原子之芳基磺 醯氧基;具有1至8个碳原子之烷基磺醯氧基;具有6 至10个碳原子之芳氧基;具有6至10个碳原子之芳硫 基(例如,苯硫基);硝基; 与下式之,-不饱和酸反应: 其中R3及R4,其可相同或相异,各为-H或C1-C4烷基,俾 可形成下式之1,4-取代之啶甜菜硷: 其中L,R3及R4如前所定义。27.如申请专利范围第26 项之方法,其中L为氰基。28.如申请专利范围第26项 之方法,其中R3为-H而R4为-H或甲基。29.如申请专利 范围第27项之方法,其中R3为-H而R4为-H或甲基。30. 如申请专利范围第29项之方法,其中R4为-H。31.一种 下式之啶甜菜硷化合物 其中:G为选自-CN及-NR1R2之基,其中R1及R2,其可相同 或相异,各为-H或具有1至10个碳原子之烃基;及 R3及R4,其可相同或相异,选自-H及C1-C4烷基。32.如申 请专利范围第31项之化合物,其中G为-CN。33.如申请 专利范围第32项之化合物,其中R3及R4各为-H。34.如 申请专利范围第31项之化合物,其中G为-NR1R2。35.如 申请专利范围第34项之化合物,其中R3及R4各为-H而R 1及R2各为甲基。36.如申请专利范围第12至30项中任 一项之方法,其系以连续方式进行。37.如申请专利 范围第36项之方法,其中该方法系于一个或多个管 状反应器内进行。38.一种热安定性4-(第二或第三) 胺基啶催化剂,其具有低于50之APHA颜色且当在120 ℃下于氮氛围内加热24小时时,其显示不大于50之 APHA颜色之增加。39.如申请专利范围第38项之催化 剂,其为4-N,N-二甲基胺基啶。40.如申请专利范围 第39项之催化剂,其具有低于10之APHA颜色,并在120℃ 下于氮氛围内加热24小时后显示不大于50之APHA颜 色。41.一种具有低于20之APHA颜色之非晶性4-N,N-二 甲基胺基啶。图式简单说明: 图1为证实本发明之较佳DMAP产物热安定性之APHA颜 色对时间之座标。 图2为本发明之较佳粒状DMAP催化剂产物之照片。
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