Abstandshalter für Gateelektrodenkontakte in einem Vertikal-DRAM-Bauelement

摘要

Es werden ein Abstandshalter (144) eines Gateelektrodenkontaktes für ein Vertikal-DRAM-Bauelement (100) und ein Verfahren zu seiner Ausbildung offenbart. In tiefen Gräben (116) eines Werkstücks (112) sind Speicherzellen (118) ausgebildet. Ein temporärer Abstandshalter neben Gateelektrodenkontakten (132) und eine Padnitridschicht werden entfernt. Ein Abstandshaltermaterial wird über freiliegenden Teilen des Werkstücks (112) und über der Oberseite und Seiten der Gateelektrodenkontakte (132) abgeschieden. Das Abstandshaltermaterial wird von den horizontalen Oberflächen des DRAM-Bauelements (100) einschließlich den freiliegenden Teilen des Werkstücks (112) und der Oberseite der Gateelektrodenkontakte (132) entfernt. Auf den Seiten des Gateelektrodenkontakts (132) bleiben Abstandshalter (144) mit Seitenwänden zurück, die von den Gateelektrodenkontakten (132) weg nach unten abfallen, wodurch die Bildung von Hohlräumen während eines nachfolgenden Abscheidens von Deckoxid auf dem Array verhindert wird. Abstandshalter können auch gleichzeitig mit der Ausbildung von Abstandshaltern (144) neben oberen Gebieten von Isolationsgräben ausgebildet werden.