| 发明名称 | 金属膜半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种形成金属膜的方法，包括在衬底的表面、凹槽的底表面和侧壁上形成金属势垒层；在衬底上而不是在凹槽内形成第一金属膜；用氮等离子体处理第一金属膜以形成包括氮的绝缘膜；在位于凹槽中的金属势垒层的部分上形成第二金属膜；以及在衬底、凹槽和绝缘膜上形成第三金属膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1482655A | 申请公布日期 | 2004.03.17 |
| 申请号 | CN03119603.9 | 申请日期 | 2003.03.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李钟鸣;朴仁善;全宗植 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种形成金属膜的方法，包括：在衬底的表面、凹槽的底表面和侧壁上形成金属势垒层；在衬底上而不是在凹槽内形成第一金属膜；用氮等离子体处理第一金属膜以形成包括氮的绝缘膜；在位于凹槽中的金属势垒层的部分上形成第二金属层；以及在衬底、凹槽和绝缘膜上形成第三金属膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||