| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法和驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压，以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压，并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。 | ||
| 申请公布号 | CN1482683A | 申请公布日期 | 2004.03.17 |
| 申请号 | CN03154304.9 | 申请日期 | 2003.08.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 加藤刚久;嵨田恭博;山田隆善 |
| 分类号 | H01L27/10;G11C11/34;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其特征在于：由分别具有将数据作为极化值进行存储的第1强电介质电容器的多个存储器单元、在构成所述多个存储器单元中的作为数据读出对象的存储器单元的所述第1强电介质电容器的2个电极之间施加第1读出电压的第1电压施加单元、通过检测在所述第1强电介质电容器的2个电极之间施加所述第1读出电压时的所述第1强电介质电容器的极化值来读出存储在所述第1强电介质电容器的数据的读出单元所组成，所述第1强电介质电容器的滞后曲线向与所述第1读出电压的极性相反的电压侧移动。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||