发明名称 |
半导体晶片的处理方法及其处理装置 |
摘要 |
半导体晶片的处理方法及其处理装置,水洗处理后,向已密闭的容器内供给温纯水。从被干燥介质没入状地浸泡在内的温纯水的水面,向容器上部空间供给有机溶剂的蒸汽或雾。充满之后,停止有机溶剂的供给,边从容器的底部一侧对温纯水进行吸引排液,边向该容器内供给惰性气体。吸引排液结束之前,进行控制管理,使得把容器内的减压度P1保持为设定减压度P。对容器内进行吸引减压的办法,进行被干燥介质的干燥处理。 |
申请公布号 |
CN1142582C |
申请公布日期 |
2004.03.17 |
申请号 |
CN97122951.1 |
申请日期 |
1997.11.26 |
申请人 |
蓝天株式会社 |
发明人 |
小柳哲雄;山口弘;横田一夫;丹下浩一;三宗直文 |
分类号 |
H01L21/304;H01L21/306;B08B3/08 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1、一种半导体晶片的处理方法,包括在密闭容器内进行从半导体晶片的清洗处理到干燥处理的一连串的处理,其特征是包括:把多片半导体晶片垂直并排状地运进放置在上述容器内,在进行完清洗处理中的水洗处理之后,向上述容器内供给温纯水的工序;从上述容器内的至少上述温纯水的水面向在其上部一侧确保的上部空间中供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序;在停止了上述有机溶剂的供给之后,边从容器的底部吸引排液上述温纯水边从其上部一侧连续地供给惰性气体的工序;在上述温纯水的吸引排液结束之后,用继续进行的上述吸引使容器内吸引减压,使半导体晶片干燥的工序,以及,至少在从容器的底部一侧吸引排液温纯水的工序中,在温纯水的吸引排液结束之前,要进行管理控制,使得容器内的减压度保持在设定减压度。 |
地址 |
日本京都 |