发明名称 利用薄热电片生产多个器件芯片的方法
摘要 一种利用薄热电片生产多个器件芯片的方法,包含如下步骤:形成将由硬粒子喷砂进行处理的器件基片,器件基片包含热电材料薄片,多个器件形成区,器件形成区形成在薄片两个相对的表面上,和形成在两个相对表面上的电路图形,通过原料可去除部分将每个器件形成区与相邻的器件形成区隔离;在电路图形之间建立电连接,以获得三维的电路图形,并将三维电路图形接地,从而所有器件形成区都具有相同电势;接着,通过喷砂对器件基片进行处理以去除原料可去除部分的热电材料,同时留下带有电路图形并在相邻的器件形成区之间延伸的桥路部分,从而获得器件芯片集合,其中通过桥路部分将相邻的器件芯片相连;通过去除桥路部分将器件芯片与器件芯片集合分离。
申请公布号 CN1142580C 申请公布日期 2004.03.17
申请号 CN00801789.1 申请日期 2000.12.21
申请人 松下电工株式会社 发明人 西村真;木村健一;宫川展幸;川岛雅人;中村良光;井狩素生;高田裕司;谷口良
分类号 H01L21/301;H01L35/32;H01L27/14 主分类号 H01L21/301
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1.一种由热电材料的基片生产多个器件芯片的方法,其特征在于包含如下的步骤:首先,形成将通过硬粒子喷砂而进行处理的器件基片,所述器件基片包含热电材料的薄片,多个器件形成区,每个区都具有一个电极,所述多个器件形成区形成在薄片的两个相对的表面上,和形成在两个相对表面上的用于将所述电极进行电连接的电路图形,通过原料可去除的部分将每个所述器件形成区与相邻的器件形成区隔离;在形成在器件基片的两个相对表面上的所述电路图形之间建立电连接,以获得三维的电路图形,并将三维电路图形接地,从而器件基片上的所有的所述器件形成区都具有相同的电势;接着,通过所述喷砂对具有三维电路图形的所述器件基片进行处理以去除原料可去除部分的热电材料,同时留下上面带有电路图形并在相邻的器件形成区之间延伸的桥路部分,从而获得器件芯片集合,其中通过桥路部分将相邻的器件芯片相连;接着,通过去除桥路部分将器件芯片与器件芯片集合分离。
地址 日本大阪府