| 主权项 |
1.一种多个波长范围用之检测显微镜,其包含至少一照明光束通道及至少一成像光束通道,其特征为:照明光束通道及成像光束通道中之光学元件(其可由全部之波长范围之光束所穿过)设有一种反射降低层,其中可见之VIS波长范围之反射已降低之波长范围可达650nm,i-线是在=365nm处,紫外线之DUV波长范围是在240nm至270nm之间。2.如申请专利范围第1项之检测显微镜,其中反射降低层具有一种三明治结构,其由材料M2(La2O3.3.3 Al2O3所构成之Fa. Merck之混合物质)及MgF2所构成,其中交替地施加由M2及MgF2所构成之多个层且最后一层是由MgF2所构成。3.如申请专利范围第1项之检测显微镜,其中反射降低层具有一种三明治结构,其由材料M2(La2O3.3.3 Al2O3所构成之Fa. Merck之混合物质),MgF2及Al2O3所构成,其中在三明治结构之下部结构中交替地施加由Al2O3及MgF2所构成之多个层且在三明治结构之上部结构中交替地施加由M2及MgF2所构成之多个层,最后一层由MgF2所构成。4.如申请专利范围第1项之检测显微镜,其中反射降低层具有一种三明治结构,其由材料M2(La2O3.3.3 Al2O3所构成之Fa. Merck之混合物质),MgF2及SiO2所构成,其中在三明治结构之下部结构中交替地施加由M2及SiO2所构成之多个层且在三明治结构之上部结构中交替地施加由M2及MgF2所构成之多个层,最后一层由MgF2所构成。5.如申请专利范围第4项之检测显微镜,其中反射降低层中VIS波长范围及i-线所需之反射之平均値≦1.0%且DUV波长范围所需之反射之平均値≦0.5%。6.如申请专利范围第1项之检测显微镜,其中反射已降低之光学组件由石英玻璃或CaF2所构成且具有一种相一致之反射降低层。7.如申请专利范围第1项之检测显微镜,其中在照明光束通道及成像光束通道中配置一个或多个组件-切换器,其具有至少二个特定波长范围之光学组件以便选择性地使此种组件之至少一个分别安装在所属之光束通道中。8.一种多个波长范围用之反射降低层,其特征为:可见之VIS波长范围之反射已降低之波长范围可达650nm,i-线之波长范围是=365nm,紫外线之DUV波长范围是在240nm至270nm。9.如申请专利范围第8项之反射降低层,其中光学组件用之反射降低层由石英玻璃或CaF2构成。10.如申请专利范围第8或9项之反射降低层,其中反射降低层具有一种三明治结构,其由材料M2(La2O3.3.3 Al2O3所构成之Fa.Merck之混合物质)及MgF2所构成,其中交替地施加由M2及MgF2所构成之多个层,最后一层由MgF2构成。11.如申请专利范围第10项之反射降低层,其中光学组件用之反射降低层由石英玻璃或CaF2所构成且具有如以下之表F所示之结构,其中该层1是最下层:表F:层编号 厚度(nm) 材料1 14.56 M22 15.38 MgF23 19.55 M24 10.64 MgF25 87.07 M26 22.38 MgF27 21.89 M28 123.66 MgF29 17.88 M210 26.19 MgF211 68.93 M212 12.7 MgF213 16.16 M214 66.19 MgF212.如申请专利范围第8或9项之反射降低层,其中反射降低层具有一种三明治结构,其由材料M2(La2O3.3.3 Al2O3所构成之Fa. Merck之混合物质),MgF2及Al2O3所构成,其中在三明治结构之下部结构中交替地施加由Al2O3及MgF2所构成之多个层且在三明治结构之下部结构之上部结构中交替地施加由M2及MgF2所构成之多个层,最后一层由MgF2所构成。13.如申请专利范围第12项之反射降低层,其中该反射降低层只具有唯一之由Al2O3所构成之层。14.如申请专利范围第12项之反射降低层,其中光学组件用之反射降低层由石英玻璃或CaF2所构成且具有下表E所示之构造,其中该层1是最下层:表E:层编号 厚度(nm) 材料1 136.17 Al2O32 175 MgF23 24.26 M24 26.85 MgF25 14.66 M26 77.29 MgF215.如申请专利范围第8或9项之反射降低层,其中反射降低层具有一种三明治结构,其由材料M2(La2O3.3.3 Al2O3所构成之Fa. Merck之混合物质)MgF2及SiO2所构成,其中在三明治结构之下部结构中交替地施加由M2及SiO2所构成之多个层且在三明治结构之上部结构中交替地施加由M2及MgF2所构成之多个层,最后一层由MgF2所构成。16.如申请专利范围第15项之反射降低层,其中该反射降低层具有至少三个由SiO2所构成之层以及至少三个由MgF2所构成之层。17.如申请专利范围第15项之反射降低层,其中VIS波长范围及i-线所需之反射之平均値≦1.0%且DUV波长范围所需之反射之平均値≦0.5%。18.如申请专利范围第17项之反射降低层,其中光学组件用之反射降低层由石英玻璃或CaF2所构成,且具有下表A所示之构造,其中该层1是最下层:表A:层编号 厚度(nm) 材料1 14.9 M22 25.57 SiO23 20.72 M24 10.12 SiO25 66.94 M26 9.17 SiO27 6.07 M28 14.44 SiO29 21.87 M210 110.66 SiO211 21.78 M212 20.16 MgF213 70.39 M214 14.05 MgF215 15.58 M216 66.86 MgF219.如申请专利范围第17项之反射降低层,其中光学组件用之反射降低层由石英玻璃或CaF2所构成,且具有下表B所示之构造,其中该层1是最下层:表B:层编号 厚度(nm) 材料1 13.95 M22 27.60 SiO23 20.66 M24 8.84 SiO25 69.42 M26 20.90 SiO27 24.61 M28 112.60 SiO29 21.02 M210 20.60 MgF211 69.85 M212 13.97 MgF213 16.01 M214 66.65 MgF220.如申请专利范围第15项之反射降低层其中光学组件用之反射降低层由石英玻璃或CaF2所构成,且具有下表C所示之构造,其中该层1是最下层:表C:层编号 厚度(nm) 材料1 15.17 M22 21.57 SiO23 96.82 M24 20.75 SiO25 25.35 M26 114.91 SiO27 19.29 M28 20.47 MgF29 67.52 M210 14.19 MgF211 17.22 M212 65.82 MgF221.如申请专利范围第15项之反射降低层,其中光学组件用之反射降低层由石英玻璃或CaF2所构成,且具有下表D所示之构造,其中该层1是最下层:表D:层编号 厚度(nm) 材料1 7.08 M22 28.54 SiO23 18.90 M24 11.79 SiO25 99.82 M26 15.97 SiO27 15.98 M28 126.92 SiO29 19.24 M210 12.55 MgF211 63.48 M212 8.65 MgF213 25.04 M214 65.56 MgF222.如申请专利范围第11项之反射降低层之应用,其中由石英玻璃或CaF2所构成之可选择之光学组件藉由施加该反射降低层而使反射降低。图式简单说明:第1图系检测显微镜之光学构造。第2图系反射降低层之构造,其具有由M2/MgF2/SiO2所构成之16个层(比较以下之表A)。第3图系具有由M2/MgF2/SiO2所构成之16个层之反射降低层之剩余反射値之频谱,反射降低作用对VIS,i-线及DUV是有效的(请比较表A)。第4图系反射降低层之构造,其具有由M2/MgF2/SiO2所构成之14个层(请比较表B)。第5图系具有由M2/MgF2/SiO2所构成之14个层之反射降低层之剩余反射値之频谱,反射降低作用对VIS,i-线及DUV是有效的(请比较表B)。第6图系具有由M2/MgF2/SiO2所构成之12个层之反射降低层之剩余反射値之频谱,反射降低作用对VIS,i-线及DUV是有效的(请比较表C)。第7图系具有由M2/MgF2/SiO2所构成之14个层之反射降低层之剩余反射値之频谱,反射降低作用对VIS经由i-线至DUV之整个区域都有效(请比较表D)。第8图系具有由M2/MgF2/Al2O3所构成之6个层之反射降低层之剩余反射値之频谱,反射降低作用对VIS,i-线及DUV都有效(请比较表E)。第9图系具有由M2/MgF2所构成之14个层之反射降低层之剩余反射値之频谱,反射降低作用对VIS,i-线及DUV都有效(请比较F)。 |
