| 发明名称 |
METHOD OF ETCHING AND ETCHING APPARATUS |
| 摘要 |
<p>A thin film formed on a substrate is etched with an etching gas containing a beta-diketone, thereby exposing substrate surface.</p> |
| 申请公布号 |
WO2004021425(A1) |
申请公布日期 |
2004.03.11 |
| 申请号 |
WO2003JP10505 |
申请日期 |
2003.08.20 |
| 申请人 |
SHINRIKI, HIROSHI;TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
SHINRIKI, HIROSHI |
| 分类号 |
H01L21/311;C23F1/12;C23F1/24;H01L21/00;H01L21/302;(IPC1-7):H01L21/302 |
主分类号 |
H01L21/311 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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