发明名称 确定晶片对准标记外围辅助图形的方法及所用光刻胶掩模
摘要 本发明公开一种在晶片对准标记外围确定辅助图形的方法。首先,提供具有对准区的晶片,对准区中设置有一对准标记。然后,藉由一光刻胶掩模来进行曝光,以在对准区上的对准标记外围确定一第一辅助图形。此光刻胶掩模具有一第一辅助图形区,第一辅助图形区具有一第一图形来遮蔽该对准标记,及一第二图形来确定第一辅助图形。而且,此光刻胶掩模还包括一第二辅助图形区,具有一第三图形,用以在第一辅助图形的外围确定一第二辅助图形。
申请公布号 CN1480985A 申请公布日期 2004.03.10
申请号 CN02131997.9 申请日期 2002.09.04
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 何溓泽;林鼎章;丁茂益
分类号 H01L21/027;G03F7/00 主分类号 H01L21/027
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈红;楼仙英
主权项 1.确定晶片对准标记外围确定辅助图形用光刻胶掩模,包括:一第一辅助图形区,该第一辅助图形区具有一第一图形,用以遮蔽该对准标记,及一第二图形,用以在该对准标记的外围确定一第一辅助图形。
地址 台湾省新竹