等离子体处理装置以及等离子体处理方法

摘要

本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。如果终点检测器17(EPD)检测出终点(t5)，则断开从高频电源12来的RF功率(底部RF)的同时(t5)，停止向晶片W背面供给He气14(t5)，蚀刻不进行，而且，在可能维持等离子体的范围内，在控制从高频电源11来的RF功率(顶部RF)的状态下(t5)，断开高压直流电源13(HV)，由此可以一边正确控制蚀刻量，一边抑制微粒的吸附。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征为，包含以下工序：借助静电吸盘固定晶片的工序，通过施加具有第1频率的第1高频电力和具有第1频率以下的第2频率的第2高频电力，进行所述晶片的等离子体处理的工序，在所述等离子体处理终止后，在所述等离子体处理不进行的范围内，维持等离子体放电的工序，停止借助所述静电吸盘向晶片背面供给冷却气体的工序，停止向所述静电吸盘施加直流电压的工序，以及在停止施加所述直流电压后，停止所述等离子体放电的工序。