存储器字线结构与电容器重叠偏移的测试元件及测试方法

摘要

本发明涉及一种半导体测试元件及方法，特别涉及一种用于检测动态随机存取存储器的字线结构与深沟电容器重叠是否产生偏移的测试元件，是设置于一芯片的切割道中，包括一沟道电容器，设置于上述切割道中，具有一埋入板；一矩形字线，设置于上述切割道之上，覆盖部分的深沟电容器；一第一路过字线和一第二路过字线，设置于沟道电容器上方两侧；一第一掺杂区和一第二掺杂区，分别设置于矩形字线与第一路过字线之间，以及矩形字线与第二路过字线之间；一第一接触插塞，耦接至第一掺杂区；一第二接触插塞，耦接至第二掺杂区；以及一第三接触插塞，耦接至埋入板。

主权项

1.一种存储器字线结构与电容器重叠偏移的测试元件，设置于一芯片的切割道中，其特征在于，该测试元件包括：一沟道电容器，设置于该切割道中，具有一埋入板；一矩形字线，设置于该切割道之上，覆盖部分的该深沟电容器；一第一路过字线和一第二路过字线，设置于该沟道电容器上方两侧；一第一掺杂区和一第二掺杂区，分别设置于该矩形字线与该第一路过字线之间，以及该矩形字线与该第二路过字线之间；一第一接触插塞，耦接至该第一掺杂区；一第二接触插塞，耦接至该第二掺杂匾；以及一第三接触插塞，耦接该埋入板。