发明名称 Systems and methods for forming metal-doped alumina
摘要 A method of forming (and an apparatus for forming) a metal-doped aluminum oxide layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process.
申请公布号 US2004043634(A1) 申请公布日期 2004.03.04
申请号 US20020229780 申请日期 2002.08.28
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC 发明人 VAARTSTRA BRIAN A.
分类号 C23C16/40;H01L21/3115;H01L21/316;H01L21/8244;(IPC1-7):H01L21/31;H01L21/469 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人
主权项
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