| 发明名称 | 后端制作工艺整合的方法 | ||
| 摘要 | 一种后端制作工艺整合的方法，是于一基底上先沉积作为层间介电层或金属间介电层的介电层，再于介电层上形成并定义一硅硬掩模层，以作为后续蚀刻制作工艺的硬掩模。接着，进行一蚀刻制作工艺，以于层间介电层或金属间介电层中形成接触窗或介层窗开口。随后，进行一氮化制作工艺，以使硅硬掩模层变为氮化硅或氮氧化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1479363A | 申请公布日期 | 2004.03.03 |
| 申请号 | CN02141458.0 | 申请日期 | 2002.08.30 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡元礼;王裕标 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种后端制作工艺整合的方法，包括：于一基底上形成一介电层；于该介电层上形成一硅硬掩模层；定义该硅硬掩模层；进行一蚀刻制作工艺，在该介电层中形成一开口；以及进行一氮化制作工艺。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园 | ||