非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明之课题，系避免缩小非挥发性半导体记忆装置之字线宽度时因控制闸材料、层间绝缘膜材料、以及浮闸材料之整体加工上的困难而降低耦合比。又，亦可避免因上述整体加工而对闸极氧化膜造成伤害。本发明之解决手段，系在形成非挥发性记忆体之记忆格之浮闸前，形成四方皆被绝缘膜围住之各储存格内之浮闸的空间，使各浮闸成为被填埋于各空间之形状。此形状可在堆积浮闸材料膜后以浮闸之本身整合加工来实现。因此，实施控制闸之加工时，无需实施控制闸材料、层间绝缘膜材料、以及浮闸材料之整体加工，但仍可确保充分层间绝缘膜电容。