发明名称 积层之转印方法与半导体装置的制造方法
摘要 本发明的目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移构件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且,本发明的另一目的是提供一种半导体装置的制造方法,其中,制造在基底上的半导体元件被转移到转移构件,典型地说是塑胶基底上。此方法的特征在于包含:在基底上形成剥离层和待要剥离的物体;藉由双面胶带键合待要剥离的物体和支座;用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体,然后将待要剥离的物体键合到转移构件上;以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。
申请公布号 TW200403858 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092112851 申请日期 2003.05.12
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 高山彻;后藤裕吾;丸山纯矢;大野由美子
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本