纵型接合型场效电晶体、及纵型接合型场效电晶体之制造方法

摘要

关于本发明之纵型JFET1a具备n^＋型汲极半导体部2、n型漂移半导体部3、P^＋型闸极半导体部4、n型通道半导体部5、n^＋型源极半导体部7及p^＋型闸极半导体部8。n型漂移半导体部3设于n^＋型汲极半导体部2之主面上，具有延伸于与该主面交叉之方向之第一～第四区域3a～3d。p^＋型闸极半导体部4设于n型漂移半导体部3之第一～第三区域3a～3c上。n型通道半导体部5沿着p^＋型闸极半导体部4设置，并电气连接于n型漂移半导体部3之第四区域3d。