| 主权项 |
1.一种形成在一基材上之介电材料层,其具有:(a)一基底区域,靠近该基材,且具有多数分散于其中之孔;(b)一原子级平滑表面区域,其系与该基材分开;及(c)一中间区域,具有多数分散于其中之孔,其中在该中间区域及/或该基底区域中之该等孔具有在它们愈接近表面时愈小之直径。2.如申请专利范围第1项之介电材料层,其中在该基底区域中之至少大多数之该等孔具有由1至10nm之直径且在该中间区域中之至少大多数之该等孔具有≦2nm之直径,使得孔尺寸大致由该层之底部朝顶部减少。3.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中该基底区域构成该层之大约50%之深度。4.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中该中间区域构成该层之大约40%之深度。5.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中该等孔尺寸由底至顶逐渐改变。6.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中在该基底区域中之该等孔具有在范围1-4nm中之直径。7.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中在该中间区域中之该等孔具有<1nmn中之直径。8.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其具有<2.5之介电常数。9.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中该完全致密材料之介电常数系>2.5。10.如申请专利范围第1项之介电材料层,其中该介电材料是一种有机二氧化矽。11.如申请专利范围第10项之介电材料层,其中该介电材料是一种含碳之氢化二氧化矽。12.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中该层已化学蒸镀于该基材上。13.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中该层已由四甲基矽烷、氧与氮之气体混合物进行过化学蒸镀。14.如申请专利范围第1项之介电材料层,其中该层已以一H2或含H2电浆处理过了。15.如申请专利范围第14项之介电材料层,其中该处理时间是大约每1nm厚度之膜为1分钟。16.如申请专利范围第14项之介电材料层,其中一藉该氢处理而形成在该上表面上之化学移除层系被蚀去以暴露出该表面区域。17.如申请专利范围第1或2项之介电材料层,其中在该表面处之硬度系大于该中间区域之硬度。18.一种形成在一基材上之介电材料层,该层具有一与该基材分开之原子级平滑表面区域,及一在该表面区域与该基材之间之多孔质部份,其中该等孔之平均直径系沿着该表面区域之方向减少。19.一种半导体装置,具有如申请专利范围第1或18项之介电材料层。20.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中该介电材料层形成一双金属镶嵌结构之一部份。21.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中在该双金属镶嵌结构中之金属化部份主要是铜。图式简单说明:第1图是一沈积在该基材上之层的示意横截面图;第2图是硬度相对在一试样层之凹陷深度的图;第3图是模数对凹陷深度之图;第4图是3种厚度,一公称3,000、6,000与10,000之k値与变化处理时间之表;及第5图是一显示第4图之资料的图。 |
