发明名称 应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路
摘要 本发明揭示一种应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路,其包含一预充电电路和一限流装置。该预充电电路仅在该动态随机存取记忆体之工作模式中提供一预充电电流至该动态随机存取记忆体之互补位元线。该限流装置仅提供一微小之预充电电流至该动态随机存取记忆体之互补位元线。藉由该预充电电路提供一预充电电流,可降低该限流装置所需提供之预充电电流,进而降低因该动态随机存取记忆体之互补位元线和字元线因短路而在静止模式中形成之漏电流。
申请公布号 TW578145 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW091110985 申请日期 2002.05.23
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 陈健中
分类号 G11C11/00 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路,包含:一预充电电路,仅在该动态随机存取记忆体之工作模式中提供一预充电电流至该动态随机存取记忆体之互补位元线;以及一限流装置,仅提供一微小之预充电电流至该动态随机存取记忆体之互补位元线;藉由该预充电电路提供一预充电电流,可降低该限流装置所需提供之预充电电流,进而降低因该动态随机存取记忆体之互补位元线和字元线因短路而在静止模式中形成之漏电流。2.如申请专利范围第1项之降低静止电流电路,其中该预充电电路包含复数个并联之电晶体。3.如申请专利范围第1项之降低静止电流电路,其中该预充电电路包含复数个串联之电晶体。4.如申请专利范围第1项之降低静止电流电路,其中该预充电电路系直接电气连接至该动态随机存取记忆体之互补位元线。5.如申请专利范围第1项之降低静止电流电路,其中该预充电电路系电气连接至该限流装置和该互补位元线间之导通路径之输出端。6.一种应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路,包含复数个字元线、复数个互补位元线、复数个预充电等化电路及复数个限流装置,其特征在于各该复数个互补位元线之间加入一预充电电路,且该预充电电路仅在该动态随机存取记忆体之工作模式中提供一预充电电流,藉此可降低因该复数个互补位元线和该复数个字元线间短路而在静止模式所形成之静止电流。7.如申请专利范围第6项之降低静止电流电路,其中该预充电电路系直接电气连接至该动态随机存取记忆体之互补位元线。8.如申请专利范围第6项之降低静止电流电路,其中该预充电电路系电气连接至该限流装置和该互补位元线间之导通路径之输出端。图式简单说明:图1系一习知应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路;图2(a)系本发明之预充电电路及其组合之应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路之一实施例;图2(b)系本发明之预充电电路及其组合之应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路之另一实施例;及图3系本发明之预充电电路及其组合之应用于动态随机存取记忆体之降低静止电流电路之另一实施例。
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