| 主权项 |
1.一种双镶嵌结构之制造方法,包括下列步骤:在一基底上依序形成一蚀刻终止层及一介电层;定义上述介电层,以形成复数介层洞并露出上述蚀刻终止层表面;在上述介电层上形成一可显影之底层抗反射材料层并填入上述介层洞内;在上述可显影之底层抗反射材料层上形成一光阻层;同时定义上述光阻层及上述可显影之底层抗反射材料层,以在上述介层洞上方形成复数开口并于上述介层洞内留下上述可显影之底层抗反射材料层;以及以上述光阻层作为罩幕来蚀刻上述开口下方之上述介电层及上述可显影之底层抗反射材料层,以在上述介层洞上方形成复数沟槽,而构成双镶嵌结构。2.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构之制造方法,更包括在上述介电层上形成一介电抗反射层的步骤。3.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中在构成上述双镶嵌结构之后,更包括去除上述可显影之底层抗反射材料层之步骤。4.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述基底系一半导体基底。5.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述蚀刻终止层系氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述介电层系氧化矽层或低介电材料层。7.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述可显影之底层抗反射材料层为聚亚醯胺。8.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述可显影之底层抗反射材料层为具成像能力之有机抗反射层。9.一种双镶嵌结构之制造方法,包括下列步骤:在一基底上依序形成一蚀刻终止层及一介电层;定义上述介电层,以形成复数介层洞并露出上述蚀刻终止层表面;在上述介层洞内填入一填洞材料层;在上述介电层及上述填洞材料层上形成一可显影之底层抗反射材料层;在上述可显影之底层抗反射材料层上形成一光阻层;同时定义上述光阻层及上述可显影之底层抗反射材料层,以在上述介层洞上方形成复数开口并露出上述填洞材料层;以及以上述光阻层作为罩幕来蚀刻上述开口下方之上述介电层及上述填洞材料层,以在上述介层洞上方形成复数沟槽,而构成双镶嵌结构。10.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述填洞材料层系一底层抗反射层材料。11.如申请专利范围第10项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述填洞材料层系择自于下列群族:Honewell Duo所制造之底层抗反射层材料、Brewer Sci.所制造之DUV42及ARC25。12.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述填洞材料层系纯树脂材料。13.如申请专利范围第12项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述填洞材料层系择自于下列群族:Shipley ViPR材料、TOK HEGF材料(Nissan Chemical公司所提供)。14.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中在上述介层洞内填入上述填洞材料包括下列步骤:于上述介电层上涂覆上述填洞材料层并填入上述介层洞内;以及回蚀刻上述填洞材料层至露出上述介电层表面。15.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中更包括在上述介电层上形成一介电抗反射层的步骤。16.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中在构成上述双镶嵌结构之后,更包括去除上述可显影之底层抗反射材料层及上述填洞材料层之步骤。17.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述基底系一半导体基底。18.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制方法,其中上述蚀刻终止层系氮化矽层。19.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述介电层系氧化矽层或低介电材料层。20.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述可显影之底层抗反射材料层为聚亚醯胺。21.如申请专利范围第9项所述之双镶嵌结构之制造方法,其中上述可显影之底层抗反射材料层为具成像能力之有机抗反射层。图式简单说明:第1a到1e图系绘示出习知双镶嵌结构之制造方法剖面图;第2a到2f图系绘示出另一习知双镶嵌结构之制造方法剖面图;第3a到3g图系绘示出根据本发明第一实施例之双镶嵌结构之制造方法剖面图;第4a到4h图系绘示出根据本发明第二实施例双镶嵌结构之制造方法剖面图。 |
