| 主权项 |
1.一种无电解铜镀敷之方法,其系为使用含有铜离子源之硫酸铜、铜离子之配位剂、铜离子还原剂及pH値调整剂之镀敷液的无电解铜镀敷方法中,硷土类金属之氢氧化物系作为前记pH値调整剂使用,将无电解铜镀敷液中所蓄积之硫酸离子以前记硷土类金属盐之形式沉淀、去除,并至少测定1个镀敷液中之硫酸离子浓度或草酸离子浓度,使其保持在所期望之浓度下进行无电解铜镀敷处理者。2.一种无电解铜镀敷之方法,其系为使用含有铜离子源之硫酸铜、铜离子之配位剂、铜离子还原剂之乙醛酸或其盐,及pH値调整剂之镀敷液的无电解铜镀敷方法中,硷土类金属之氢氧化物系作为前记pH値调整剂使用,将无电解铜镀敷液中所蓄积之硫酸离子与草酸离子以前记硷土类金属盐之形式沉淀、去除的无电解铜镀敷处理方法。3.一种无电解铜镀敷之方法,其系为使用含有铜离子源之硫酸铜、铜离子之配位剂、铜离子还原剂,及pH値调整剂之镀敷液的无电解铜镀敷方法中,系将至少1种硷土类金属、硷土类金属氧化物、硷土类金属之氢氧化物、硷土类金属盐(但,不包含硫酸盐)加入镀敷液中,使硫酸离子以硷土类金属盐之形式沉淀、去除,并测定镀敷液中硫酸离子浓度,使其保持在所期望之浓度下进行无电解铜镀敷处理者。4.一种无电解铜镀敷之方法,其系为使用含有铜离子源之硫酸铜、铜离子之配位剂、铜离子还原剂之乙醛酸或其盐,及pH値调整剂之镀敷液的无电解铜镀敷方法中,系将至少1种硷土类金属、硷土类金属氧化物、硷土类金属之氢氧化物、硷土类金属盐(但,不包含硫酸盐)加入镀敷液中,使硫酸离子与草酸离子以硷土类金属盐之形式沉淀、去除的无电解铜镀敷处理方法。5.一种镀敷装置,其系为使用含有铜离子源之硫酸铜、铜离子之配位剂、铜离子还原剂之乙醛酸或其盐,及pH値调整剂之镀敷液以进行无电解铜镀敷处理之装置,且其系包含无电解铜镀敷槽与,将添加有至少1种硷土类金属、硷土类金属氢氧化物、硷土类金属氧化物、硷土类金属盐(但,不包含硫酸盐)之前记镀敷液,以使前记镀敷液中硫酸离子或与草酸离子以硷土类金属盐形式沉淀的反应槽与,将前记沉淀之金属盐过滤之过滤装置者。6.一种镀敷装置,其系为使用含有铜离子源之硫酸铜、铜离子之配位剂、铜离子还原剂,及pH値调整剂之镀敷液以进行无电解铜镀敷步骤之装置,且其系包含无电解铜镀敷槽与,将添加有至少1种硷土类金属、硷土类金属氢氧化物、硷土类金属氧化物、硷土类金属盐(但,不包含硫酸盐)之前记镀敷液,以使前记镀敷液中硫酸离子以硷土类金属盐形式沉淀的反应槽与,将前记沉淀之金属盐过滤之过滤装置与,测定硫酸离子浓度之浓度测定步骤与,对应该测定之硫酸离子浓度为基准値与比较之値以调整前记硷土类金属、硷土类金属之氢氧化物、硷土类金属之氧化物、硷土类金属盐(但,不包含硫酸盐)添加量之调整步骤者。7.一种镀敷装置,其系为使用含有铜离子源之硫酸铜、铜离子之配位剂、铜离子还原剂之乙醛酸或其盐,及pH値调整剂之镀敷液以进行无电解铜镀敷步骤之装置,系包含无电解铜镀敷槽与,将添加有至少1种硷土类金属、硷土类金属氢氧化物、硷土类金属氧化物、硷土类金属盐(但,不包含硫酸盐)之前记镀敷液,以使前记镀敷液中硫酸离子或与草酸离子以硷土类金属盐形式沉淀的反应槽与,将前记沉淀之金属盐过滤之过滤装置与,测定至少1个使硫酸离子浓度与草酸离子浓度的硫酸离子或草酸离子之浓度测定步骤与,对应该测定所得之任一硫酸离子或草酸离子浓度为基准値与比较之値以调整前记硷土类金属、硷土类金属之氢氧化物、硷土类金属之氧化物、硷土类金属盐(但,不包含硫酸盐)添加量之调整步骤者。8.一种镀敷装置,其系为使用含有金属离子、该金属离子之还原剂与pH値调整剂以进行无电解镀敷处理之装置,其系包含无电解镀敷槽与,添加有金属或含有金属化合物之镀敷液,以抑制前记经由无电解镀敷形成之金属,并将离子以金属盐之形式沉淀于前记镀敷液之反应槽与,将沉淀所得之前记金属盐过滤之超过滤装置者。9.如申请专利范围第5至8项中任一项之装置,其中,过滤装置为一具有封闭流式之超过滤装置,或具有压滤式之超过滤装置。10.一种多层配线板,其系为绝缘层与导体配线层以交互层合方式黏着,且介由前记绝缘层使导体配线层间于绝缘层所形成之通孔内,或,单侧封闭之微孔中填充有经由无电解铜镀所形成之铜所得之多层配线积板,其中,前记无电解铜镀系由申请专利范围第1至4项中任一项之无电解铜镀敷方法所形成者。图式简单说明:图1为本发明镀敷装置的构成内容之流程图图2为本发明镀敷装置所使用之超过滤装置之概略图图3为本发明实施例所使用镀敷装置的构成之流程图图4为本发明中其他实施例所使用镀敷装置的构成之流程图图5为本发明中其他实施例所使用镀敷装置的构成之流程图图6为本发明之铜镀方法所形成之多层配线板搭载有半导体元件之模组的截面图 |
