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发明名称
适用于短波长曝光之光阻组成物以及光阻图案形成方法(二) RESIST COMPOSISITON SUITABLE FOR SHORT WAVELENGTH EXPOSURE AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
摘要
一种光阻组成物,其包括一聚合物,该聚合物在一单体单元之一支链处含有一个具一保护基团之羧基基团,该聚合物不溶解于硷性水溶液,而在该羧基的保护基团从支链被移除时变成可溶于硷性水溶液,该羧基基团的保护基团如下式所示:092126682p01.bmp其中R是一氢原子或一单键烃类,n是一个1到4之整数,且R系接到一除了酯键结的位置以外的位置。
申请公布号
TW200403529
申请公布日期
2004.03.01
申请号
TW092126682
申请日期
1998.04.22
申请人
富士通股份有限公司
发明人
野崎耕司;矢野映
分类号
G03F7/004;G03C1/72
主分类号
G03F7/004
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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