用于氧化膜之化学机械研磨浆料及使用该浆料以形成金属线接触插塞之方法

摘要

用于氧化膜的CMP浆料及形成半导体装置之金属线接触插塞的方法。当利用用于包括一HXOn化合物（其中n是从1到4的整数）于一多层薄膜的研磨制程时之氧化膜的CMP浆料，藉由减少层间研磨速度之差异可避免步阶的差异，以形成一稳定的接地插塞多晶。