| 主权项 |
1.一种半导体晶圆表面保护用黏着膜,是在基材膜 之一表面上形成有黏着剂层者;其特征在于,基材 膜备有下述要件A、以及要件B或C中至少一要件: 要件A:于50℃之膜软硬度値介于0.08~150N范围内的高 刚性特性(A); 要件B:于90℃之膜软硬度値为50℃之膜软硬度値的 三分之一以下的特性(B); 要件C:于23℃、90%RH经过4小时吸水后的尺寸变化率 为0.05~0.5%的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。2.一 种半导体晶圆表面保护用黏着膜,是在基材膜一表 面上形成有黏着剂层者;其特征在于,基材膜至少 含有一层备有下述要件A'、以及要件B'或C中至少 一要件的层: 要件A':于18~50℃全温度区间内的储藏弹性模数为1 109~11010Pa的高弹性模数特性(A'); 要件B':于50~90℃之至少部分温度区间的储藏弹性 模数为1108Pa以下的高弹性模数特性(B'); 要件C:于23℃、90%RH经过4小时吸水后的尺寸变化率 为0.05~0.5%的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。3.如 申请专利范围第2项之半导体晶圆表面保护用黏着 膜,其中,备有要件A'、以及要件B或C中至少一要件 的层,在18~50℃温度区间之储藏弹性模数的最高値( E'max)与最低値(E'min)之比(E'max/E'min)为1.0 ~1.1。4.如 申请专利范围第2项之半导体晶圆表面保护用黏着 膜,其中,备有要件A'、以及要件B'或C中至少一要件 的层厚度为30~300m。5.如申请专利范围第1或2项 之半导体晶圆表面保护用黏着膜,其中,基材膜至 少含有一层低弹性模数树脂层。6.如申请专利范 围第5项之半导体晶圆表面保护用黏着膜,其中,低 弹性模数树脂层是乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层。7. 如申请专利范围第5项之半导体晶圆表面保护用黏 着膜,其中,低弹性模数树脂层的厚度为30~250m。8 .如申请专利范围第1或2项之半导体晶圆表面保护 用黏着膜,其中,基材膜的总厚度为50~300m。9.一 种半导体晶圆之背面加工方法,系将半导体晶圆表 面保护用黏着膜以其黏着剂层贴附在半导体晶圆 的积体电路形成面上,接着进行背面加工直到该半 导体晶圆厚度达到150m以下,然后将半导体晶圆 表面保护用黏着膜加热到50~90℃后剥离;其特征在 于,使用申请专利范围第1或2项之半导体晶圆表面 保护用黏着膜作为半导体晶圆表面保护用黏着膜 。图式简单说明: 图1表示各种基材膜的储藏弹性模数的温度分散。 |
