| 主权项 |
1.一种改善光阻平坦度的方法,包括:提供一基底,该基底中形成有复数个沟槽;形成一保护光阻于该基底表面,使该保护光阻填入该等沟槽内;去除高出于该基底表面之该保护光阻,其中部分该等沟槽内之该保护光阻的上表面低于该基底的上表面,以形成复数沟槽缺口;全面性形成一回填光阻,以填满该等沟槽缺口,使该保护光阻与该回填光阻共同填满该等沟槽,成为复数沟槽光阻;以及去除部份该等沟槽光阻,使各该等沟槽中之该等沟槽光阻的上表面低于该基底上表面一既定距离。2.如申请专利范围第1项所述之改善光阻平坦度的方法,其中该基底表面更包括:一氮化层,形成于该等沟槽以外之该基底表面。3.如申请专利范围第2项所述之改善光阻平坦度的方法,其中去除高出于该基底表面之该保护光阻直到露出该氮化层表面为止。4.如申请专利范围第1项所述之改善光阻平坦度的方法,其中该保护光阻与该回填光阻系由相同材质所构成。5.如申请专利范围第1项所述之改善光阻平坦度的方法,其中该沟槽光阻系仅由该保护光阻所构成或由该保护光阻与该回填光阻所共同构成。6.一种沟槽电容之下电极的制造方法,包括:提供一基底;形成具有复数个开口的硬罩幕于该基底表面;经由该硬罩幕的开口蚀刻该基底,以形成复数个沟槽;顺应性形成一介电层于该等沟槽表面和侧壁,其中该介电层中掺杂有一导电型掺质;形成一保护光阻于该硬罩幕表面,使该保护光阻填入该等沟槽内;去除高出于该硬罩幕表面之该保护光阻,直到露出该硬罩幕表面为止,其中部分该等沟槽内之该保护光阻的上表面低于该硬罩幕的上表面,以形成复数沟槽缺口;全面性形成一回填光阻,以填满该等沟槽缺口,使该保护光阻与该回填光阻共同填满该等沟槽,成为复数沟槽光阻;去除部份该沟槽光阻,使该沟槽光阻的上表面低于该基底上表面一既定距离,暴露出该等沟槽内之部分该介电层;剥除暴露之该介电层;移除该沟槽光阻;以及将该介电层中之该导电型掺质趋入该基底中,以形成该等下电极。7.如申请专利范围第6项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中该保护光阻与该回填光阻系由相同材质所构成。8.如申请专利范围第6项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中该沟槽光阻系仅由该保护光阻所构成或由该保护光阻与该回填光阻所共同构成。9.如申请专利范围第6项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中该硬罩幕层系氮化物所构成。10.如申请专利范围第6项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中更包括:形成一垫氧化层于该基底与该硬罩幕层之间。11.一种沟槽电容之下电极的制造方法,包括:提供一基底;形成具有复数个开口的硬罩幕于该基底表面;经由该硬罩幕的开口蚀刻该基底,以形成复数个沟槽,其中该等沟槽区分为复数致密区沟槽与一孤立区沟槽;顺应性形成一介电层于该等沟槽表面和侧壁,其中该介电层中掺杂有一导电型掺质;形成一保护光阻于该硬罩幕表面,使该保护光阻填入该等沟槽内;去除高出于该硬罩幕表面之该保护光阻,直到露出该硬罩幕表面为止,其中部分该等沟槽内之该保护光阻的上表面低于该硬罩幕的上表面,以形成复数沟槽缺口;全面性形成一回填光阻,以填满该等沟槽缺口,使该保护光阻与该回填光阻共同填满该等沟槽,成为复数沟槽光阻;去除部份该沟槽光阻,使位于该等致密沟槽与该孤立沟槽之该沟槽光阻的上表面皆与该基底上表面相距一既定距离,暴露出该等沟槽内之部分该介电层;剥除暴露之该介电层;移除该沟槽光阻;以及将该介电层中之该电型掺质趋入该基底中,以形成该等下电极。12.如申请专利范围第11项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中该保护光阻与该回填光但系由相同材质所构成。13.如申请专利范围第11项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中该沟槽光阻系仅由该保护光阻所构成或由该保护光阻与该回填光阻所共同构成。14.如申请专利范围第11项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中该硬罩幕层系氮化物所构成。15.如申请专利范围第11项所述之沟槽电容之下电极的制造方法,其中更包括:形成一垫氧化层于该基底与该硬罩幕层之间。图式简单说明:第1A图至第1B图系说明之习知光阻表面平坦度不佳的问题。第2A图至第2I图根据本发明之改善光阻平坦度方法应用于制作沟槽电容下电极之制程剖面图。 |
