| 发明名称 | 半导体集成电路器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。 | ||
| 申请公布号 | CN1139129C | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN96123443.1 | 申请日期 | 1996.11.14 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 轰原广见;三浦英生;铃树正恭;西原晋治;池田修二;佐原政司;石田进一;阿部宏美;荻岛淳史;内山博之;阿部园子 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：硅衬底；在所述硅衬底上形成的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成的电布线用金属；在所述绝缘膜中设置的多个接触孔；以及在所述接触孔内部形成于硅衬底或多晶硅上的电连接所述电布线用金属的硅化钛膜，其中，所述硅化钛膜的膜厚为10-120nm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||